決戰 7 納米先進位程 台積電、三星與格羅方德爭第一

在全球晶圓代工廠積極搶攻 7 納米先進位程，都想在 7 納米製程領域搶下龍頭寶座的情況之下，三大陣營台積電 （TSMC） 、三星、以及由 IBM 提供協助的格羅方德 （GlobalFoundries） 誰最後終將出線，結果將牽動全球半導體市場的生態。

根據外媒表示： 2016 年晶圓代工的主流製程是 14 及 16 納米的 FinFET 製程，其主要業者包含了英特爾 （Intel） 、台積電及三星 / 格羅方德三大陣營，而且戰場延伸到下一代 10 納米先進位程，同樣的此三大陣營都宣布將在 2017 年量產。不過，由於 10 納米製程主要針對低功耗移動晶元的生產。因此，更先進一代的 7 納米才被認為是首次突破 10 納米極限的高性能先進位程，而也是三方爭搶的重點。

目前，台積電及三星都準備在 7 納米先進位程上搶先發，而在此前缺席了的格羅方德這一次決定擺回劣勢，誓言在 7 納米製程領先。不過，過往在 14 納米及 10 納米都有參與的英特爾，在 7 納米製程上表態很謹慎。因為要與台積電與三星競爭 3 個世代以上的製程，使得英特爾的 7 納米製程至少要等到 2020 年才有機會量產。但是，相對於英特爾而言，台積電和三星就顯得積極許多。

在三星的部分，前不久投資巨資購入了 EUV 光刻機，希望在 2017 年開始試產 7 納米製程，而台積電則是透過 CEO 劉德音表態指出，7 納米製程的 SRAM 良率已經達 30% 到 40% ，將會是業界首家通過 7 納米製程認證的半導體公司。至於，過去在 14 納米製程時代，進度落後三星及台積電的格羅方德，雖放棄自行研發 14 納米製程技術，改轉而選擇了三星 14 納米的 FinFET 製程技術授權。不過，2014 年在收購了 IBM 的晶圓廠業務之後，格羅方德希望急起直追，在 7 納米製程上拔的頭籌。

據了解，格羅方德在收購 IBM 的晶圓廠業務中獲得了大量有經驗的員工，這對推動新製程研發很有幫助。而且，2015 年 7 月份，格羅方德聯合 IBM 、三星及紐約州立大學已經率先推出了 7 納米製程，使得格羅方德逐漸成為一股在晶圓代工業務上不可忽視的力量。日前格羅方德的CTO，高級副總經理 Gary Patton 表示，他們的 7 納米製程進展已經積極的縮減了新製程的門檻距離。

Patton 表示，目前格羅方德在紐約州馬爾他市的晶圓廠正在量產 14 納米製程，這為他們開發更先進的工藝奠定了基礎。而對於 7 納米製程，Patton 表示即便沒有 EUV 工藝，他們的新製程也能降低晶圓成本。按照 Patton 的預計，格羅方德的 EUV 製程預計會在 2018 年或 2019 年會少量投產，並且於 2020 年正式量產。

（首圖來源：TSMC 官網）

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