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銅基底化學氣相沉積法製備石墨烯薄膜

電子科技大學李雪松教授在《Advanced Materials》發表題目為「Synthesis of Graphene Films on Copper Foils by Chemical Vapor Deposition」的論文。該論文是基於李雪松教授在石墨烯領域的突出成績,與美國德州儀器Colombo博士韓國蔚山國立科學與技術研究院Ruoff教授共同受邀撰寫的關於石墨烯薄膜製備的綜述性論文。石墨烯在銅基底表面生長示意圖(左)和在銅表面的石墨烯的掃描電子顯微鏡圖片(右)

銅基底化學氣相沉積法製備石墨烯薄膜


Adv. Mater.,2016, DOI: 10.1002/adma.201504760


該篇論文回顧了銅基底化學氣相沉積(CVD)法製備大面積石墨烯薄膜的發展進程,主要包括相關的各種CVD技術、石墨烯生長機制與動力學、製備大面積石墨烯單晶的方法、石墨烯的轉移技術等,並針對該技術目前所面臨的挑戰及前景進行了討論。


http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201504760/full


原文:Synthesis of Graphene Films on Copper Foils by Chemical Vapor Deposition

Adv. Mater.,2016, DOI: 10.1002/adma.201504760


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