東芝加碼上千億投資3D NAND，WD是否參與仍在協議

東芝(Toshiba)11日發布新聞稿宣布，關於目前已在四日市工廠廠區內興建的3D架構NAND型快閃記憶體(Flash Memory)專用廠房「第6廠房」投資案，旗下子公司「東芝存儲器(TMC；Toshiba Memory Corporation)」原先是計劃在2017年度內(截至2018年3月底為止的會計年度)砸下1950億日元資金，用於導入「第6廠房」第1期工程所需的生產設備以及用於第2期工程的廠房興建，不過因來自伺服器、數據中心的3D NAND需求擴大，故TMC將在2017年度內加碼投資1100億日元用於第1期工程的設備導入，也就是說2017年度內對「第6廠房」的投資金額將擴大至3050億日元。

東芝表示，關於Western Digital(WD)子公司SanDisk是否會參與上述追加的1100億日元投資計劃，目前正向SanDisk提案、協議中。

「第6廠房」第1期工程預計於2018年夏天完工，第2期工程廠房預計於2017年9月動工、2018年年末完工。關於具體的產能、生產計劃，將於今後視市場動向決定。

東芝6月28日宣布，已攜手SanDisk研發出全球首款採用堆棧96層製程技術的3D NAND Flash產品，且已完成試作、確認基本動作。

該款堆棧96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB)、採用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術的產品，預計於2017年下半送樣、2018年開始進行量產，主要用來搶攻數據中心用SSD、PC用SSD以及智能型手機、平板計算機和記憶卡等市場。

上述堆棧96層的3D NAND將利用東芝四日市工廠「第5廠房」、「新第2廠房」以及預計2018年夏天完成第1期工程的「第6廠房」進行生產。

來源：MoneyDJ新聞

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