三星推出11納米FinFET 製程，並宣布7納米製程將全面導入EUV

隨著台積電宣布全世界第一個 3 納米製程的建廠計劃落腳台灣南科之後，10 納米以下個位數製程技術的競爭就正式進入白熱化的階段。

台積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導入 11 納米的 FinFET，預計在 2018 年正式投產之外，也宣布將在新一代的 7 納米製程上全面採用 EUV 極紫外線光刻設備。

根據三星表示，11 納米 FinFET 製程技術「11LPP (Low Power Plus)」是現今 14 納米和 10 納米製程的融合，一方面採用 10 納米製程 BEOL (後端製程)，可以大大縮小晶元面積。

另一方面，也沿用 14 納米 LPP 製程的部分元素。未來，三星的 11LPP 製程技術將填補 14 納米與、10 納米製程之間的空白，號稱可在同等晶體管數量和功耗下，比 14LPP 製程技術提升 15% 的性能，或者降低 10% 的功耗。另外，還可以使得晶體管的密度也有所提升。

至於，三星於 2016 年 10 月開始投產 10 納米製程技術「10LPE (10nm Low Power Early)」。而目前已經完成研發，達到即將投產的下一代「10LPP (10nm Low Power Plus)」狀態，主要將可協助生產更高規格的智能型手機晶元。

而三星的 14 納米製程技術部分，則將以主流、低功耗和緊緻型的晶元生產為主。目前，三星還在積極開發增加新一代的 14LPU、10LPU 製程版本。

另外，三星還表示，未來還一路準備了 9 納米、8 納米、7 納米、6 納米、5 納米製程技術，其中 7 納米的 7LPP 版本還將會全面加入 EUV 極紫外光刻設備製程，而且確認將在 2018 年下半年試產。

不過，也另有報導表示，在那之前的 2018 年上半年，三星會首先在 8LPP 製程的特定製程上開始使用 EUV。

三星指出，2014 年以來，已經使用 EUV 技術處理了接近 20 萬片晶圓，並取得了豐碩成果。比如 256Mb SRAM 的產品良率已經達到了 80%。

而也因為三星有晶圓代工，DRAM，NAND Flash 的製造與生產能力，又在存儲器產品的市佔率上獨佔鰲頭。

使得三星具有雄厚的本錢可以使用 EUV 的設備。但是，這也使得其他競爭廠商產生龐大的成本壓力。因為， EUV 的價值不斐，要能夠有效率的應用以增加收入，這對其他存儲器廠商來說是一件具備壓力的事情。

來源：TechNews 科技新報

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