國內存儲產業加速，東芯半導體推出24nm快閃記憶體晶元
近日，中國快閃記憶體市場ChinaFlashMarket了解到，國內存儲器晶元設計廠商東芯半導體，採用國內先進的24nm快閃記憶體工藝已成功研發出8Gb SLC/16Gb MLC NAND快閃記憶體產品，這標誌著中國大陸已經具備以先進位程工藝來開發、設計及製造一系列快閃記憶體晶元的能力，進一步縮小了與國際廠商技術水平間的差距。
隨著物聯網產業的蓬勃發展，智能終端產品普及進一步擴大，工業、行業等領域也正在向智能自動化發展，預計到2020年全球物聯網設備將超過260億，這些領域對於存儲的需求都呈現持續不斷的增長趨勢。東芯半導體研發出的8Gb SLC/16Gb MLC NAND快閃記憶體產品將會大量應用在工業、行業、物聯網等市場，如：智能手錶、機頂盒、IPTV、網路攝像機、功能機等存儲應用。此外，東芯半導體也正在與國內外知名Flash主控廠家一起開發小容量eMMC和工業領域的快閃記憶體卡等安全存儲產品滿足市場需求。
東芯半導體致力於不斷提高自主研發能力，於2015年4月成功收購韓國知名半導體廠商Fidelix股權後，成為其第一大股東及實際控制人。Fidelix是全球領先的Memory Fabless（無生產線存儲晶元）設計公司之一，在Memory行業（尤其是NAND Flash領域）享有較高的聲譽。東芯半導體通過中韓技術交流合作，加強在NAND Flash、NOR Flash、SDR/DDR等存儲晶元的研發及銷售，此前已經成功實現38nm快閃記憶體工藝1Gb/2Gb/4Gb SLC 等多項NAND Flash晶元的研發和量產，並達到國際大廠相同工藝和性能指標，與國內多家存儲重要廠商和客戶深入配合。
在大數據與雲計算時代，中國作為重要的市場，數據存儲需求與日俱增。近幾年，國家加大對存儲產業的建設，以及加強對數據信息安全存儲的重視，產業扶持政策和新項目投資也在持續升溫中。
東芯半導體是目前中國本土為數不多的擁有NAND Flash自主開發能力的晶元設計公司，其採用先進位程的NAND Flash助力提升中國在Memory行業的設計研發能力，為國家集成電路產業發展之IC 設計能力達到國際領先水平打下了基礎。我們也相信會有更多如東芯半導體等類型的晶元設計公司推出更多、更好的國產存儲晶元產品，加快中國存儲產業發展的步伐。
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