三星宣布可以量產 8 納米晶元 再次將英特爾遠遠甩在身後

三星已經提前 3 個月完成了 8 納米晶元的製造工藝。這是同樣的「低功耗+」（LPP）工藝，可以用於替換升級其當前的 10 納米晶元，而未來打算生產的 7 納米晶元，採用的則是另一種更先進的極限紫外光刻工藝（EUV）製作。

8 納米晶元與當前的 10 納米晶元相比，晶元的能效提高了 10%，而晶元面積卻又縮小 10%。與此同時，由於 8 納米晶元採用了與 10 納米晶元同樣的工藝，三星將能夠迅速將這款產品進行量產。

三星表示，使用 8 納米晶元可以大大提升當前應用程序的效能，將是「移動、加密貨幣和網路/伺服器」等應用的理想選擇。

值得注意的是，三星這回再次與 10 納米晶元客戶高通合作，以完善新技術。韓國方面有傳言稱，高通有意將 7 納米的生產轉移到 TSMC（台積電），因為根據之前的報道，該公司在開發這一技術方面略領先於三星，台積電的 7nm 晶元已經預定今年下半年進行試產，明年第 1 季量產。

不過，三星向外媒證實，高通已經確認使用其最新 8 納米晶元的工藝，但沒有提供任何具體細節。考慮到這一信息，高通似乎很有可能會與三星一起打造其下一代的 Snapdragon 晶元，採用可靠的 LPP 工藝，而不是尖端的 7 納米技術，因為使用 7 納米工藝會讓高通不得不轉向極限紫外光刻技術。

等到下一代的 Snapdragon 晶元構架思路快成型的時候，三星應該也有了自己的 7 納米的 EUV 進程，在此之後，使用相同工藝的 6 納米晶元也不會太遠。不管怎麼說，三星移動擁有 Galaxy S8 和 Note 8 手機等眾多產品，基本上註定會是高通晶元的最大客戶。因此如果高通將其訂單拆分給另一家代工廠，可能之後局面會比較尷尬。

儘管在同一市場上競爭並不激烈，但這一消息讓英特爾進一步落後於三星，至少在晶元尺寸方面是如此。英特爾尚未發布任何 10 納米的晶元，儘管它曾表示，當它(2018年或2019年)新產品上市時，由於其功能密度的提高，它將會是三星的「數代」。然而到那時，三星可能會在極限紫外光刻工藝技術方面領先英特爾兩到三代，從而縮小這一差距。預計三星將在今天晚些時候公布其 8 和 7 納米晶元的路線圖。

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