市場研究：2018年NAND快閃記憶體市場將重新進入平衡狀態

據追蹤內存晶元價格的研究公司DRAMeXchange稱，因為NAND的產量增加以滿足需求，2018年NAND快閃記憶體市場預計將進入更好的平衡狀態。

自2016年第三季度以來，NAND市場已經連續6個季度供不應求。據DRAMeXchange稱，因為強勁的伺服器市場和智能手機內存量的持續增加，2017年市場對NAND的需求將持續增長。與此同時，由於NAND快閃記憶體製造商技術向3D NAND等技術轉移，使得供應受到限制。

不過，DRAMeXchange預測2018年NAND快閃記憶體增長將達到43%，預計需求增長大約是38%。

據DRAMeXchange高級研究經理Alan Chen表示，除了市場領先者三星電子之外的NAND供應商都在經歷著因為轉向3D NAND製程工藝而導致的生產能力下降。Chan在聲明中稱：「與此同時，提供商也無法有效利用他們已經得到的額外生產能力。」

但是Chen預測，明年提供商們將在64層和72層NAND堆棧技術上達到成熟。他預測，由於智能手機和PC等消費電子產品的生產在第四季度呈現季度性急劇下滑，因此快閃記憶體市場將在2018年第一季度出現短暫的供過於求。

DRAMeXchange預測，明年全球NAND產量中3D NAND將佔到70%的份額。

三星自從最近的第三季度以來就一直在大規模生產64層3D NAND。DRAMeXchange預測，到第四季度3D NAND將佔到三星NAND產量中的一半還多，到明年這一比例將達到60%-70%。

據DRAMeXchange稱，SK Hynix現在採用主流的48層NAND堆棧技術，但是明年72層堆棧將在其產量中佔據更大的份額。SK Hynix預測，今年第四季度SK Hynix的NAND快閃記憶體產量中3D NAND將佔比20%-30%，到2018年第三季度這個比例將增加到40%-50%。

東芝和其合作夥伴西部數據在今年上半年主要生產了48層3D NAND。雙方的合資公司NAND總產量中有大約30%是3D NAND，到2018年這個比例預計將超過50%。

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