三星第二代10nm FinFET工藝進入量產

三星電子11月29日宣布其代工業務已開始大量生產基於第二代10nm FinFET 10LPP工藝的系統晶元（SOC）的產品。2018年初計劃推出應用於數字設備的基於10LPP工藝的SoC晶元。

相比第一代10nm工藝10LPE（Low Power Early），10LPP（Low Power Plus）工藝可將性能提高10%，功耗降低15%，同時，還可以大大減少從開發到批量生產的周轉時間，提高初始製造產量。

三星電子代工業務副總裁Ryan Lee表示：「隨著10LPE到10LPP工藝的提升，性能和產能也得以提升，未來三星計劃將10nm技術提升到8LPP，為客戶提供更大的競爭優勢。」

三星還宣布其位於韓國華城的最新的生產線S3計劃提升工藝技術，包括10nm以下產品的研發生產。目前三星代工業務有三家工廠，其中S1位於京畿道器興， S2在美國奧斯汀，三星的7nm FinFET與EUV工藝將在S3大規模量產。

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