RamBus來劇透DDR5和HBM3了：用7nm工藝，頻率/帶寬翻倍

其實大家應該都清楚現在所用的DDR4內存與HBM2線程的繼任人是DDR5和HBM3，此前這兩樣東西的規格啟動還在討論之中沒有一個定論，而現在一個意外的來源高速了大家這兩樣東西的標準規格，他就是大家口中的專利流氓RamBus。

RamBus今年產品銷售額只有2800萬美元，然而還有2500多項專利給他帶來了大概2.12億美元的專利許可收入，人家是有這個能力創造新技術的，德國媒體ComputerBase報道稱RamBus的規劃中有DDR5內存和HBM3顯存的具體規格。

DDR5內存的頻率大致會在4800~6400MHz，現在的DDR4內存主流頻率是2400MHz~3200MHz，頻率直接翻了一倍，預取位寬也從8bit翻倍到16bit，內存庫提升到16-32個，至於電壓可能會降至1.1V甚至更低。

而HBM3顯存位寬會和前兩代一樣保持1024-bit，不過頻率直接翻倍到4Gbps，帶寬直接翻倍，另外隨著堆棧層數的上升容量也應該會隨之翻倍。

然而這兩樣東西應該都不會這麼快出現，因為RamBus的規劃中他們倆都會使用7nm工藝，而現在半導體行業還在向10nm工藝進發，大概要等到2020年7nm工藝才可投入實用，而等到它可以大規模生產估計還得等更多的時間，大家手頭上的DDR4內存不會這麼快過時的。

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