GDDR6顯存規格敲定!有望今年底推出
業界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年,當時的說法是2014年就將啟動標準制定,但GDDR5之後A/N兩家先後用上了HBM和GDDR5X,也不見GDDR6的蹤影。
據外媒報道,繼三星之後,美光也談及了自己未來的存儲規劃,其中就涉及GDDR6顯存。
美光計劃今年底將GDDR5的製程工藝從20nm推進到1Xnm,預計是16nm。同時,他們表示G5X顯存的需求將迎來增長,考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用,不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會採用。至於GDDR6,定於今年底或者明年初正式發布。
規格方面美光沒有更多資料分享,但此前三星簡單介紹過,GDDR6顯存的單根引腳帶寬最高可達16Gbps,是GDDR5的2倍,也高於G5X理論峰值12Gbps。
工作電壓1.35V,和G5X一致,比G5低。
我們以一張256bit的顯卡來看,總帶寬最高可達512GB/s,完全媲美HBM一代顯存了,甚至看齊AMD的縮水二代。我們知道,美光走的是和HBM陣營完全不同的HMC,只是進度不佳,但靠著GDDR容量、價格上的優勢和改良款式,仍在中高端儘力搏殺。
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