高通：搭載10nm驍龍835的大批旗艦機即將面世

高通首款10nm移動平台驍龍835在今天實現了亞洲首秀。這款應用於旗艦機型的晶元備受業界關注，高通講述了該晶元在續航、沉浸式體驗、拍攝、連接以及安全等方面的性能參數。高通方面表示即將有搭載該晶元的手機面世。

高通副總裁兼QCT中國區總裁Sanjay Mehta（武商傑）認為，未來智能手機仍然有很大的發展空間，2016年-2020年智能手機累計出貨量預期將超過83億台。而高通幫助了更多中國廠商走向了全球。

武商傑透露，目前已經有超過200款終端設計採用或者正在開發使用高通驍龍820/821晶元，並成為了智能手機旗艦終端的選擇。

今天高通發布的驍龍835則是首款10nm工藝製程的移動平台，有超過30億個晶體管，在CPU性能方面，比驍龍821最能性能提升了20%。

之前製程工藝更多是由PC晶元來引領發展，隨著智能手機的發展，移動晶元的製程工藝開始引領發展。高通產品市場高級總監張雲表示，製程工藝不斷演進的動力來自希望更小的尺寸來集成更多特性，適用更薄的手機，更大電池容量，實現更低功耗。

高通驍龍835在視覺處理和安全、音頻等等方面實現了提升。另外，高通特意提到了隨著835晶元的推出，高通還推出了快充第四代：高通Quick Charge4，可以實現充電15分鐘充電量50%。具體的一些參數之前CES首秀的時候已經公布。

驍龍835晶元亞洲首秀的今天也是京東與高通「驍龍專列」合作一周年。京東胡勝利透露一大批打在驍龍835晶元的手機將會在京東上面世。之前有傳.三星Galaxy S8、小米6、LG、諾基亞等手機廠商有意搭載該晶元。在高通驍龍835首秀的同時，小米官方微博也轉發了高通該晶元的微博，並附上了「強者先行」字樣，暗示了小米新機將搭載該晶元。

官方中文規格表：

工藝尺寸：驍龍835採用10nm FinFET製程，三星代工，尺寸減小35%，功耗降低25%。

CPU：採用八核Kryo 280自研核心，主頻最高2.45GHz（早先資料稱，小核是1.9GHz，待官方確認），這比驍龍821的2.35GHz提升了4%（小核提升了18%），最終性能提升20%。

GPU：Adreno 540，圖形速度提升25%，色彩提升60倍。支持4K屏（60FPS）、10位色深、支持DP、HDMI和USB-C視頻流傳輸。

基帶：X16數據機，全球首款千兆LTE基帶，4載波聚合、7模全網通。

充電：QC4.0技術，15分鐘可充50%的電，速度提升20%。

內存：LPDDR4X雙通道、UFS 2.1、SD3.0（UHS-1）

連接性：802.11ad（60GHz）、802.11ac（2x2 MU-MIMO）、藍牙5.0

定位：支持GPS、格洛納斯、北斗、伽利略

ISP：高通Spectra 180，雙14位ISP、最高支持雙1600萬/單3200萬鏡頭，可錄製HDR視頻。

DSP：Hexagon 682，集成向量擴展，支持TensorFlow和Halide

視頻：最高4K 30FPS拍攝、4K 60FPS播放，可解碼H.264/265/VP9。

音頻：Aqstic音頻編解碼器，支持原生DSD、123dB高信噪比。

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