Intel 10nm性能參數公布：提升43%

日前，Intel再次強調10nm晶元定於今年底上市，其核心指標包括「1平方毫米中塞下1億個晶體管、鰭片間距做到34nm，最小金屬間距則做到36nm」。關於10nm的家族代號目前存在爭議，因為Intel今年2月又宣布了8代酷睿，所以Cannon Lake有些人說是10nm代號，有些說是新酷睿代號，不過筆者比較傾向AnandTech的看法，也就是前者。

按照Intel公布的指標，8代酷睿依然是14nm，號稱歷史最強，性能較Kaby Lake提升15%，那麼10nm呢？

在Intel TechDay上公布的PPT顯示，第一代10nm將比14nm在性能上提升25%，功耗降低45%，改良版的10nm++性能會再次提升15%，功耗再降30%，換算下來，目前Intel規劃中的10nm最好的狀態是比14nm性能提升43%左右。

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