埃米時代 半導體先進工藝藍圖將更新

OFweek電子工程網訊 隨著半導體發展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的晶元上混合FinFET和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管，他們還必須嘗試更多類型的內存；另一方面，14埃米節點也暗示著原子極限不遠了…

在今年的Imec技術論壇(ITF2017)上，Imec半導體技術與系統執行副總裁An Steegen展示最新的半導體開發藍圖，預計在2025年後將出現新工藝節點――14埃米(14A；14-angstrom)。這一工藝相當於從2025年的2nm再微縮0.7倍；此外，新的佔位符號出現，顯示工藝技術專家樂觀看待半導體進展的熱情不減。

Steegen指出：「我們仍試圖克服種種困難，但如何實現的途徑或許已經和以前所做的全然不同了。」

14埃米節點也暗示著原子極限不遠了。單個砷原子(半導體所使用的較大元素之一)大約為1.2埃。

隨著半導體發展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的晶元上混合鰭式場效晶體管(FinFET)和納米線或穿隧FET或自旋波晶體管。他們將會開始嘗試更多類型的內存，而且還可能為新型的非馮?諾依曼計算機(non-Von Neumann)提供晶元。

短期來看，Steegen認為業界將在7nm採用極紫外光(EUV)微影技術、FinFET則發生在5nm甚至3nm節點，而納米線晶體管也將在此過程中出現。

如今，14埃米節點還只是出現在PPT上的一個希望 （來源：Imec）

Steegen表示：「從事硬體開發工作的人員越來越有信心，相信EUV將在2020年初準備好投入商用化。經過這麼多年的努力，這一切看來正穩定地發展中。」

Imec是率先安裝原型EUV系統的公司，至今仍在魯汶(Leuven)附近大學校園旁的研究實驗室中持續該系統的開發。

Steegen預計，EUV「將在最關鍵的層級導入工藝，」以便在線路終端處完成通道和區塊。使用今天的浸潤式步進器，這項任務必須通過3或4次的步驟，但透過EUV更精密的解析度，只需一次即可完成。

工程師在這些先進節點上工作時，必須先檢查其設計能夠搭配使用浸潤式或EUV系統。當他們在將晶元發揮到極致時，將會使用EUV更進一步縮小其設計。

無論如何，還需要3或甚至4次的浸潤式圖案化過程，才能打造具有小於40nm間距的特徵尺寸。工程師不要指望設計規則能很快地變得更簡單。

Imec勾勒未來節點可能實現的功率性能

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