深入探訪英特爾、美光25nm工藝晶圓廠

（本文很老的一篇文章，算作科普篇）

英特、美光合資快閃記憶體製造企業IM Flash Technologies, LLC(IMFT)

位於雪山腳下的IMFT工廠

工廠結構，製造半導體產品最關鍵的無塵室位於第三層，加壓吊頂形成由上向下的氣流，設備維護工作則在二層的「SubFab」層完成。

進入無塵室之前的「打包」過程。（由於無塵室內部的嚴格要求，實際上以下內部照片均來自IMFT官方）

晶圓廠內走廊，頂端的自動運輸系統（AMHS）正在以每小時13公里的速度將晶圓在各個製造環節間運輸，24小時不停歇。每個運載器都搭載了一個FOUP（前端開口片盒），其中可裝載最多25片300mm晶圓。

廠內地面全部打孔，保證空氣從上向下流通，將落塵可能減到最小。

FOUP片盒掛接在一個製造階段設備上，後面的那個正在被AMHS吊起。

幾乎所有製造過程均為自動完成，因此廠內大部分工人的工作就是保證這些設備正常運行。

化學機械拋光（CMP）車間

照明受限的光刻車間

一塊光刻掩膜，光刻過程簡單的說就是將這塊掩膜上圖案「縮印」到晶圓上。

光刻過程中的「校準」

實時缺陷監測（RDA）

FOUP片盒中的300mm晶圓

PCper記者手持一片25nm工藝300mm晶圓，總容量超過2TB。

300mm晶圓

每片快閃記憶體顆粒die容量為8GB（每格2GB），面積167平方毫米。

Intel副總裁，NAND快閃記憶體業務總經理Tom Rampone手持25nm顆粒

尺寸對比

從左到右分別是：

2003年130nm工藝128MB，2005年90nm工藝512MB，2007年50nm工藝1GB，2009年34nm工藝4GB以及現在的25nm工藝8GB快閃記憶體。最右側是標準的TSOP快閃記憶體封裝尺寸。

使用25nm工藝快閃記憶體，只需要單die晶元即可造出Class 10級SD卡。Intel計劃，今年將基於該快閃記憶體造出最大600GB的固態硬碟，而美光甚至計劃最大推出1TB SSD。

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