DIY周報：AMD Vega旗艦卡曝光PK 1080Ti

科技 05-26

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AMD Vega旗艦卡曝光

在2017年5月30至6月3日，今年的COMPUTEX(台北國際電腦展)就將在台灣台北市盛大舉行了，此次展會將彙集1600家來自全球26個國家與地區的廠商，共有5010個展位。而AMD也是參展方之一，而AMD官方已經確認將會在此次展會上推出Vega遊戲卡。

AMD官方確認將會在COMPUTEX推出Vega遊戲卡

AMD RTG部門總裁Raja Koduri是在前段時間同網友的互動中確認這一消息的，他還透露稱「消費級的RX顯卡會針對所有頂級遊戲大作優化。RX Vega遊戲卡事實上要比Frontier版本更快」。遺憾的是，在Vega遊戲卡迎來首秀後，該產品並不會立即上市。

此外，傳聞AMD還將帶來一款雙芯Vega顯卡，採用水冷散熱，採用32GB的HBM2顯存，因此這也可能會是AMD留在手中用來對抗N卡的殺手鐧。

隨著今年AMD銳龍系列的發布，將4核8線程的CPU價格拉入到了2000元以內，為玩家們帶來了一場好戲，不知道這一次的Vega能不能讓AMD在顯卡領域也成功「翻身」呢？讓我們拭目以待吧。

AMD顯卡份額大漲

在發布採用全新製程的Polaris顯卡之前，AMD的顯卡市場份額一度跌至20%以下，但憑藉Polaris的強勁表現，A卡的市場份額得以一路飆升。

據外媒報道，AMD在16號的分析師會議上宣布，AMD去年在299美元以下的顯卡市場份額從21%提高到31%，再放眼整個桌面顯卡市場，則從20%提高到28%，可謂是頗有成效。

而由於AMD去年未推出299美元以上的桌面級顯卡產品，所以準確的說市場份額提升幅度達到了10%，這是非常厲害的。現在AMD已經發布了全新的RX 500系列產品，RX Vega也將在不遠的將來亮相，就讓我們期待AMD未來會有更好的表現吧。

Intel傲騰存儲最終版明年發布

緊隨著第七代酷睿處理器的步伐，以黑科技姿態亮相的英特爾Optane存儲技術，絕對是目前PC發燒友眼中最值得關注的新技術。目前Intel發布了兩款基於Optane存儲技術的產品，一款是面向伺服器的DC P4800X系列，另一款便是應用在PC上的「傲騰內存」。第三種也就是終極形態DIMM內存條則會在2018年到來，伴隨代號Cascade Lake的下一代Xeon伺服器平台問世。

Intel將這種新型內存叫做「Persistent Memory」，在電氣和物理特性上都完全兼容DDR4，也就是乍一看沒啥兩樣，但它可以將系統內存容量增大最多4倍，而且成本比傳統DRAM低得多，並且無需對系統、應用進行調整。

但是根據此前的展示，傲騰內存暫時還不會完全淘汰DDR4內存，因為還不能獨立支持系統啟動，而是繼續與之共存，將其角色從系統主內存變為寫回緩存。

即便如此，小容量DDR4配上大容量Optane，性能仍然可以大大超過傳統SATA/PCI-E固態硬碟，非常有吸引力，傳統內存、硬碟之間的界限也將慢慢模糊。

未來隨著技術的改進，不排除Optane內存完全取代DDR4、將硬碟和內存合二為一。

Intel新Xeon處理器性能暴力提升59%

Intel日前發布了Skylake-SP平台的Xeon Scalable處理器家族，並且按照性能高低重新命名，分為銅、銀、金、鉑金四檔。

目前Intel對外公布了Xeon Scalable的性能參數，稱在SAP HANA資料庫內存計算應用中，新一代Xeon快了1.59倍。

SAP HANA是是一種從2010年開始流行的內存計算技術產品，Intel挑選SAP HANA來強調自己的性能與Xeon Scalable的目標用戶有關，這種最高8路處理器的平台完全就不是針對消費級，況且SAP HANA在發布之初就選擇與Intel x86深度合作，在指令集和數據結構上優化很到位。

這一代Xeon Scalable中，旗艦產品是Xeon-P 8180M，即8xxx系列，28核、56線程，2.5GHz、三緩38.5MB，功耗205W。

看到這裡我只想說，如果消費級產品也有這麼大的提升就好了......

NVMe 1.3標準發布

關注DIY的朋友，想必都聽過NVMe協議，這是一種SSD的傳輸協議。

NVMe(非易失性存儲器標準)是用來取代傳統AHCI，因為後者是為傳統機械硬碟優化的，已經不適合更高速的SSD，特別是在高速PCI-E通道下，NMVe就能帶來更高的性能、更低的延遲、更低的功耗，簡單一句話就是能把SSD的潛力發揮到極致。

今天，NVMe標準組織發布了最新版的NVMe 1.3版標準，這也是該技術自2014年11月的1.2版本之後，兩年半以來的首次重大升級。

NVMe 1.3針對消費級和企業級SSD加入了大量新特性，包括Device Self Tests(設備自檢)、Boot Partitions(啟動分區)、Sanitize(清理)、Virtualization(虛擬化)、Namespace Optimal IO Boundary(命名空間最優IO分界)、Directives and Streams(指令與流)、Non-Operational Power State Permissive Mode(不可操作電源狀態允許模式)、Host Controlled Thermal Management(主機控制散熱管理)等等。

雖然這些功能大多數都是可選項，而不是強制性的，但是這些提升可以有效的提升SSD的性能，相信NVMe 1.3發布後SSD的速度將更快。

美光正式公布128GB DDR4 LRDIMM伺服器內存

近日，美光正式公布了全新伺服器內存產品——Crucial 128GB DDR4 LRDIMM，這也是美光迄今為止容量最大的伺服器內存。

據介紹，美光128GB DDR4 LRDIMM內存支持虛擬化和內存資料庫技術，並且針對Intel Xeon系列處理器進行了特別優化，數據傳輸速度高達2666MT/s。

美光表示，128GB DDR4 LRDIMM內存都經過了34個流程的上百次耐用性測試，大部分測試項目都結合了具體的伺服器使用場景。因此，官方將為這些內存產品提供有限的終身質保承諾。

按照預定計劃，美光128GB DDR4 LRDIMM內存將於今年第三季度正式推出。

國產14nm工藝大躍進：明年量產

現如今，晶元自主的研發已經成為大家關注的焦點，甚至可以說已經上升到了國家的高度，而在這個領域尋求更大的突破和發展，是國內科研人員目前集體努力的方向。在

近日舉行的「極大規模集成電路製造裝備及成套工藝」活動上，集成電路專項技術總師葉甜春對外表示，國產14nm工藝已經攻克難關，將在明年投入量產。

葉甜春強調，通過2萬科技工作者9年的艱苦攻關，終於研製成功14nm刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水平，通過了大生產線的嚴格考核，開始批量應用並出口到海外，實現了從無到有的突破，填補了產業鏈空白。同時，製造工藝與封裝集成由弱漸強，技術水平飛速跨越，國際競爭力大幅提升。

此外，葉甜春還給出了接下來國產晶元的發展規劃，「十三五」將重點支持7-5nm工藝和三維存儲器等國際先進技術的研發。

公開資料顯示，在2008年以前，我國集成電路製造最先進的量產工藝為130納米、研發工藝為90納米，專項實施至今，主流工藝水平提升了5代，55、40、28納米三代成套工藝研發成功並實現量產，22、14納米先導技術研發取得突破，並形成自主知識產權。封裝企業三維高密度集成技術研發也達到國際先進水平。

AMD Ryzen處理器DDR4內存改善

據外媒報道，AMD在接受《福布斯》採訪時表示：新平台發布以來的這個最大短板終於基本消除了。

Ryzen發布之後，很多用戶發現DDR4內存很難穩定上到3000MHz以上的高頻率，尤其是使用多條內存的時候。