碾壓Intel！三星8/7/6/5/4nm工藝登場

曾經，先進的半導體製造工藝是Intel最為自豪的地方，Intel也不止一次在公開場合高調宣稱，領先的工藝是其面對競爭時的制勝法寶。

但是這幾年，Intel工藝陷入了停滯不前的底部，而台積電、三星兩家卻銜枚疾進、你追我趕。雖然說移動SoC的工藝和高性能桌面伺服器CPU不完全相同，但是Intel面對的壓力可想而知。

而且，這種壓力越來越大。

金壇，三星堆未來工藝路線圖進行了全方位展望，8nm、7nm、6nm、5nm、4nm、還有18nmFD-SOI悉數亮相。

8LPP(8nmLowPowerPlus)

EVU極紫外光刻技術應用前的最後一代，將現有技術潛力徹底挖掘乾淨，再結合來自10nm的基數創新，可在性能、集成密度等方面超越10LPP。

7LPP(7nmLowPowerPlus)

三星將在7nm工藝上首次啟用EVU極紫外光刻，與ASML合作研發，源功率最大達到250W，這也是EUV能夠投入商業量產的關鍵里程碑，可向前大大推進摩爾定律。

三星稱，EUV技術可以將三星的晶圓產能提高50％，達到每月1500片。

6LPP(6nmLowPowerPlus)

在前代7LPP、EUV的基礎上，應用三星獨特的SmartScaling方案，可以大大縮小晶元面積，帶來超低功耗。

5LPP(5nmLowPowerPlus)

FinFET立體晶體管的終極之作，並會汲取4nm工藝的部分技術。

4LPP(4nmLowPowerPlus)

第一次使用全新的MBCFETTM(多橋接通道場效應晶體管)結構，基於三星特有的GAAFET(環繞柵極場效應晶體管)技術，藉助Nanosheet設備克服FinFET技術的物理局限。

預計2020年投入風險性試產。

FD-SOI(FullyDepleted-SilicononInsulator)

面向IoT物聯網應用，在前代28nmFD-SOI技術的基礎上，集成RF、eMRAM，打造新一代18nmFD-SOI，獲得更好的功耗、性能和面積表現。

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