每日科學家：2011年5月2日，中國微電子學專家李志堅逝世

1958年，李志堅從蘇聯回到清華工作，從那時起，李志堅就和清華半導體專業早期的創辦者南德恆、王天爵等先輩們一起為清華半導體專業的建立、清華微電子學科的發展殫精竭慮，嘔心瀝血，至今已半個多世紀。

李志堅曾在上海同濟大學任教。後來到蘇聯列寧格勒大學物理系攻讀研究生，1958年獲物理-數學副博士學位。同年回國後，到清華大學任教，1991年當選為中國科學院院士。

當年在列寧格勒大學，李志堅以勤奮的努力提前一年半的時間進入了研究課題—薄膜電導和光電導機理及器件研究。他一頭扎進實驗室，自己設計，創造條件，製造出真空度達10-10托的全玻璃真空系統。他改進的小電流測量設備可測10-15A數量級。這些在當時均屬國際最高水平。他還提出了多晶膜粒間電子勢壘模型。

李志堅提出了半導體薄膜電導和光電導的晶粒間電子勢壘理論，受到同行學者的重視。1958年初回國後，即投入清華大學半導體專業的創建，建成了國內工科大學第一個半導體實驗室。在國際上半導體器件尚以鍺為主導的情況下，他們毅然確定硅技術為自己的研究方向，並很快地在超純硅提煉、硅單晶拉制、硅晶體管研製等方面取得了國內先進的成果。1963年他們首先研究成功高反壓平面型晶體管，掌握了硅平面工藝，使清華大學成為國家大規模集成電路研究開發的重要基地之一。1980年在國家支持下，清華成立了微電子所，並研製出16K位SRAM，8位、16位CPU等一系列大規模集成電路晶元。

李志堅十分重視基礎性和前瞻性微電子科技的研究。認為這是培養高水平人才所必需，也是為加速以後的研發工作打好基礎，關鍵是要選好課題，要勇於創新。他支持錢佩信同志開發新的半導體高速退火技術和設備，並親自指導其機理研究，這一項目的成功導致了我國一個重要的VLSI技術與先進設備的自主知識產權等。他開創微電子系統集成技術的研究，並先後研究出微馬達等一系列MEMS器件，神經網路、語音處理等多種SOC晶元。李志堅被公認是我國MEMS和SOC技術研究的先驅者。

李志堅院士長期在高等學校任教，是解放後我國首批博士生導師，培養了許多微電子和其他方面的優秀人才。先後獲國家科技進步獎二等獎2項，國家發明獎二等獎1項等獎項，獲得1997年度陳嘉庚信息科學獎和2000年何梁何利科技進步獎。

2011年5月2日，對我國科學技術和教育事業發展做出了巨大貢獻的李志堅在北京病逝。李志堅六十年的學術生涯，是他從一個立志報國的青年成長為一名傑出的微電子學專家的歷程，是中國微電子事業從無到有艱難前行的展現，同時也是世界半導體領域從興起到信息時代大發展的歷史進程。

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