格羅方德宣布 7 納米製程 2018 年初推出 並於當年年底量產

【Technews科技新報】全球第二大晶圓代工廠商GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導體) 於 14 日宣布，將推出其具有 7 納米製成領先性能（7LP，7nm Leading-Performance）的FinFET製程技術，其 40% 的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、雲端伺服器網路基礎設備等應用需求。設計軟體已就緒，使用 7LP 技術的第一批產品預計於 2018 年上半年推出，並將於 2018 年下半年進行量產。

格羅方德指出，2016 年 9 月公司曾宣布將充分利用其在高性能晶元製程中的技術，來研發自己的 7 納米 FinFET 製程技術的計劃。由於晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP 技術的表現遠高於最初的性能目標。與先前使用 14 納米 FinFET 技術的產品相比，預計面積將縮一半，同時處理性能提升超過 40%。目前在格羅方德美國紐約的 Fab8 晶圓廠內，該技術已經做好了為客戶設計提供服務的準備。

格羅方德 CMOS 業務部資深副總裁 Gregg Bartlett 表示，格羅方德的 7 納米 FinFET 製程技術正在按照計劃開發，預期在 2018 年宣布其多樣化的產品將會對客戶將有強大吸引力。在推動 7 納米製程晶元在未來一年中實現量產的同時，格羅方德也在積極開發下一代 5納米及其後續的技術，以確保我們的客戶能夠在走在最前端使用領先全球的技術。

格羅方德指出，未來將不斷投資下一代技術節點的研究與開發。通過與合作夥伴 IBM 和三星的密切合作，2015 年時格羅方德就已經宣布推出 7 納米測試晶元，又於近日宣布業界首款使用納米矽片晶體管的 5 納米的樣片。目前，格羅方德正在探索一系列新的晶體管架構，以幫助其客戶邁進下一個互聯的智慧時代。

格羅方德進一步指出，其新開發的 7 納米 FinFET 製程技術充分利用了其在 14 納米 FinFET 製程技術上的大量製造經驗，該技術於 2016 年初 2 月 8 日開始在 Fab 8 晶圓廠中正式生產之後，格羅方德已為廣大的客戶提供了「一次便成功」的設計。

為了加快 7LP 的量產進度，格羅方德正在持續投資最新的研發設備能力，包括在 2017 年下半年首次購入兩組極端紫外線 （EUV） 光刻工具。不過，7LP的初始量產的性能提升將依賴傳統的光刻方式，而當具備大量生產條件之際，將逐步使用 EUV 光刻技術。

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多年在財經媒體的工作資歷，深入理解電子與科技產業的發展過程與趨勢，亦曾經在電子媒體製作相關財經節目，為觀眾剖析當前最即時的財經資訊與新聞。

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