三星64層V-NAND晶元投產 Note 8載256GB ROM

【天極網手機頻道】據悉，三星已經開始大規模生產256GB的V-NAND內存晶元，這表明它可能在八月份發布的三星Galaxy Note 8中出現。

三星64層V-NAND晶元投產 Note 8載256GB ROM

三星官方今天正式宣布64層256GB 3-bit V-NAND快閃記憶體將擴展至手機和PC等NAND等產品線中。公司預計在今年年底開始，每個月出貨的半成以上NAND產品線將會使用第四代V-NAND技術。

三星64層V-NAND晶元投產 Note 8載256GB ROM

目前，48層256GB 3-bit V-NAND快閃記憶體是三星最快的晶元。與48層256GB 3-bit V-NAND快閃記憶體相比，即將推出的64層256GB 3-bit V-NAND內存晶元在這幾個方面更好。

三星64層V-NAND晶元投產 Note 8載256GB ROM

首先，64層晶元具有1Gbps(千兆比特每秒)的數據傳輸速度，使其比48層晶元快1.5倍。其次，64層晶元的生產力比48層晶元提高了近30%。第三，由於2.5V輸入電壓，新晶元具有更高的能源效率。最後，新晶元比48層256GB 3-bit V-NAND快閃記憶體更可靠。

這也就意味著，三星Note 8或將搭載256GB機身儲存。此外，據稱三星GalaxyNote 8還將配備高通最新的驍龍836移動平台。

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