ICP——儀器分析基礎第2講

2.電感耦合等離子發射光譜法（ICP-AES)

ICP-AES原理：利用物質在熱激發或電激發下，每種元素的原子或離子發射特徵光譜來判斷物質的組成，從而進行元素的定性與定量分析。

主要部件：光源、進樣裝置、分光裝置、檢測器和數據處理系統。

1）光源

光源是提供足夠的能量使試樣蒸發、原子化、激發，產生光譜。目前常用的光源有高溫火焰、直流電弧(DC arc)、交流電弧(AC arc)、電火花(electric spark)及電感耦合高頻等離子體（ICP）。

等離子體光源

等離子體是一種電離度大於0.1%的電離氣體，由電子、離子、原子和分子所

組成，其中電子數目和離子數目基本相等，整體呈現中性。

最常用的等離子體光源是直流等離子焰（DCP）、電感耦高頻等離子炬

（ICP）、容耦微波等離子炬（CMP）和微波誘導等離子體（MIP）等。

進樣裝置：包含蠕動泵，霧化器和霧化室

檢測器：光電倍增管（增強信號）和固體成像器（CID和CCD兩類）CID成像器（左）和CCD成像器（右）

ICP的分析性能

（1）檢出限低（10-9~10-11g/L）；

（2）穩定性好，精密度、準確度高（0.5%~2%)；

（3）線性範圍極寬4~5個數量級；

（4）自吸效應、基體效應小；

（5）選擇合適的觀測高度光譜背景小。

ICP局限性：

對非金屬測定靈敏度低，儀器價格昂貴，維持費用較高

（耗用大量Ar氣）。

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