美光明年初量產GDDR6顯存，GDDR5X將提速16Gbps

2017年DDR4內存早已成為市場主流，顯存市場上則迎來新的發展契機——GDDR5老驥伏櫪，HBM 2走向成熟，GDDR6初露曙光。前不久SK Hynix公司宣布了旗下顯存產品路線圖，GDDR6顯存最快今年底問世。現在美光公司也公布了他們的顯存路線圖，GDDR6顯存將在明年Q1季度問世，初期速率在12-14Gbps，核心容量8Gb、16Gb，而GDDR5X也會繼續並存，核心容量8Gb，速率10-12Gbps。

與三星、SK Hynix紛紛涉足高性能但是高成本的HBM顯存不同，美光對HBM顯存似乎並不熱情，現有的路線圖上都沒HBM顯存的事，而且美光在3D內存上有HMC在研發，看樣子短時間內不會進入HBM市場了，他們在GDDR5上搞了GDDR5X顯存，是一種低成本、但能大幅提升顯存頻率的過渡方案，至少目前的表現還不錯，NVIDIA GTX 10系列的高端顯卡都在用GDDR5X顯存，其中Titan Xp顯卡上的頻率已經提升到了11.4Gbps。

在過去的這個周末，美光公司又宣布了新的GDDR產品路線圖，依然繼續GDDR5X、GDDR6兩條路。這其中，美光的GDDR5X顯存將進一步提速，他們的工程師團隊已經在實驗室環境中驗證了16Gbps的可能性，如下圖所示：

上面這幅圖片中，左邊的是GDDR5X顯存在16Gbps頻率下運行PRBS的情況，此時時序和電壓裕度都很正常，而右邊的是10Gbps GDDR5X升級到16Gbps時的時序裕度（水平線）及電壓（水平）情況。看不懂美光這個專業表格也沒關係，大家知道他們說的是已經找到了方法讓GDDR5X顯存穩定、正常運行在16Gbps的高頻率，這個方法並非理論上的，是實際可行的。

從美光公布的數據來看，GDDR5X顯存核心容量為8Gb，JEDEC標準中最高可達16Gb，頻率則是10-12Gbps，JEDEC標準中則是10-16Gbps，FBA190封裝，電壓1.35-1.8V。

GDDR6顯存則是GDDR5的正宗繼承人，核心容量8Gb、16Gb，JEDEC標準中最高32Gb（4GB容量，注意這只是一個核心die），頻率12-14Gbps，JEDEC標準中最高可達16Gbps。對於GDDR5X和GDDR6顯存規格，二者很多相似之處，不過GDDR6是雙通道架構的，GDDR5X是單通道架構，二者的封裝也不同，GDDDR6將採用FBGA180封裝，針腳有所改良。

不過跟SK Hynix一樣，美光早期量產的GDDR6顯存頻率也不會高，也就是上面表格中的12-14Gbps速率，16Gbps頻率的高性能GDDR6顯存大概會在2019年實現，在2020年之前也只會略微提速。至於2020年之後的顯存，美光沒有提到，但是早前三星、SK Hynix公司有過討論，那時候應該會有HBM 3顯存登場了，不只是提升性能，更重要的是降低成本，不然HBM顯存就沒可能普及。

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