西數宣布用BiCS3 X4技術打造的QLC快閃記憶體，下個月能看到產品
正當西數與東芝正因為東芝要出售NAND業務打官司的時候，他們的技術合作其實還一直進行著，西數今天宣布了成功開發了利用BiCS3堆疊工藝製造的QLC快閃記憶體，並且打算對其商用化。
西數把QLC技術稱為X4，此前其實已經推出過X4 2D快閃記憶體並成功商業化了，現在改用BiCS 3D工藝，所以也叫作BiCS3 X4技術，採用64層堆疊，其實和東芝的QLC沒什麼區別，從TLC變成QLC之後Die容量從512Gb（64GB）增大到768Gb（96GB），存儲密度增大了50%，東芝之前聲稱他們的QLC可以達到1000次PE，所以西數這個肯定也是一樣的。
西數將在8月份在加利福尼亞州聖克拉拉舉行的快閃記憶體峰會上展示使用BiCS3 X4快閃記憶體打造的移動存儲設備和固態硬碟。
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