新 iPhone NAND 快閃記憶體供貨不足，蘋果向三星求助
蘋果當前的晶元供應商在供應 2017 年新版 iPhone 系列手機所需的 NAND 晶元方面面臨供貨不足的問題，為此，蘋果不得不將三星增加為供應商。
由於 3D NAND 晶元的成品率較低，因此 SK 海力士（SK Hynix）和東芝等公司的產量減少了 30% 之多，這一結果也導致蘋果公司新一代 iPhone 系列手機（包括 iPhone 7s、iPhone 7s Plus 和全新設計的 iPhone 8 等）所需的 3D NAND 晶元面臨供貨不足的問題。正是在這樣的情況之下，蘋果被迫求助三星，讓三星幫助彌補產量不足的問題。
NAND 是應用在 iPhone 手機中的晶元，主要儲存非易失資料，功能相當於移動硬碟或固態硬碟（SSD）。3D NAND 能夠儲存多層記憶單元，進而能幫助設備在同樣的實體空間中儲存更多的資訊。蘋果從 iPhone 7 開始使用 3D NAND 快閃記憶體。但是 3D NAND 的生產技術仍不太成熟，再加上蘋果的要求較高，因此，供應商經常無法生產足量的 3D NAND 快閃記憶體。
如今，業界都在高度關注今年 iPhone 的「超級周期」，蘋果不敢有任何懈怠。為了彌補 SK 海力士和東芝兩大供應商產量不足的問題，蘋果被迫請求三星增援，幫助生產 iPhone 所需的 3D NAND 快閃記憶體。三星的 3D NAND 產量較為穩定，而且成品率也比較穩定。在 iPhone 7 手機中，蘋果使用的 NAND 晶元有 48 層。據稱，iPhone 8 手機中使用的 NAND 晶元或將達 64 層，這就意味著同樣的空間能儲存更多資料。
（本文由 PingWest授權轉載；首圖來源：pixabay）
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