一個沒用的姑娘，被FBI列為重點人物，讓中國科技早進步十年！

1918年，林蘭英誕生在福建莆田，在這個孔孟之道氛圍濃厚的地方，人們最關注的是添「丁」，生個男孩，而林蘭英偏偏是個女孩，同樣是女人的祖母說：「沒用的東西」。

這個「沒用的東西」從小便顯露出頑強的性格。那時的女孩子幾乎沒有上學的機會，六歲的林蘭英卻靠絕食三天打動了重男輕女的母親，換來了上學的機會。

1936年，她以優異的成績考入某大學，後來更是作為交換生前往美國某著名學院數學系留學。因為成績優秀，林蘭英很快受到數學系教授的器重，被稱為「東方才女」。

獲得數學學士學位後，鑒於人才難得，教授推薦她去芝加哥大學深造。林蘭英放棄了，她想到了當時落後的祖國，考慮到物理學更能促進國力的增強，決定去另一所大學念固體物理。1955年，林蘭英的博士論文發表於美國最具權威的《物理評論》雜誌上，受到高度好評，她也因此成為該大學建校215年來的第一位女博士。

在導師的推薦下，林蘭英受聘於美國某物理公司任高級工程師，很快便因成功解決拉制硅單晶和鍺單晶時出現的難題而一鳴驚人。獎勵、加薪接踵而來，林蘭英卻一刻也沒有放下回國的念頭。奈何出色的成績令她在美國聯邦調查局「榜上有名」，歸國之路受到百般刁難。

隨著日內瓦會議的召開，美國終於同意中國留學生可以自由回國。以「母親重病」為由，林蘭英提交了回國申請。她提出辭職的時候，公司主管非常意外，並提醒她：「你回到中國，只會過一種大大低於美國生活水準的生活。」一對美籍華人朋友也專程趕來勸說，林蘭英卻斬釘截鐵地拒絕了。

1957年春節，衝破了聯邦調查局的層層阻攔，林蘭英回到了闊別八年的祖國。之後的一件事令她的報國之志更加堅定：當她因急性腹膜炎被抬上手術台時，周總理指示醫護人員「只能治好，不能出任何意外」，林蘭英聽到後熱淚盈眶。

病好後，林蘭英被安排到中國科學院應用物理所，研究當時剛剛起步的半導體材料。雖然困難重重，但一腔報國志的她為了填補我國半導體材料的空白，義無反顧地同意了。在她的介入下，中國科學院僅僅半年就拉制出了中國第一根鍺單晶，比蘇聯專家為我國制定的規劃整整提前了十年。1958年，中國擁有了半導體收音機。

為了拉制性能更先進和用途更廣泛的硅單晶，林蘭英煞費苦心。她考察了蘇聯封閉式硅單晶爐，試驗後發現其有難以彌補的缺陷，於是決心自己設計一台中國式的硅單晶爐。沉浸在工作中，歷經廢寢忘食的苦苦摸索，1961年，由她主持設計的第一台開門式硅單晶大爐終於製造成功了！第一根無錯位的硅單晶拉製成功後，經檢測，達到了國際先進水平。

林蘭英繼續緊盯半導體科學前沿，砷化鎵（半導體材料的一種）成了她的下一個目標。然而，當時我國決定和西方國家聯合開發，林蘭英飛赴歐洲與對方商談時，外國專家話語里的輕視和倨傲的態度深深刺傷了她的民族自尊心，也更加堅定了她要為中國研發砷化鎵的決心。

功夫不負有心人，在林蘭英領導的聯合研究組的共同鑽研下，1987年8月，在我國自己發射的返回式衛星上，成功生長出兩塊砷化鎵單晶。

一年後，我國再次成功進行了摻硅砷化鎵單晶太空生長試驗，這是世界上第一次利用太空材料製作成半導體器件，林蘭英因此被譽為「中國半導體材料之母」「中國太空材料之母」。

她一生沒有結婚，全部的精力和智慧都貢獻給了科學，她的豐功偉績、赤子情懷值得每一個中國人為之驕傲。

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作者｜潘彩霞

來源｜《百家講壇》雜誌

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