索尼宣布與IBM合作開發出高達201 Gb/in2的業內最高記錄面密度磁帶存儲技術

索尼公司今日宣布公司和位於瑞士蘇黎世的IBM研發團隊合作研發出一項磁帶存儲技術，即一種高達201 Gb/in29（每平方英寸千兆比特）的業內最高記錄面密度的磁帶存儲介質。這項成果得以實現歸功於索尼使用潤滑劑的新型磁帶存儲技術，以及IBM蘇黎世研發團隊新研發的寫/讀磁頭、先進伺服控制技術和創新信號處理演算法。高達201Gb/in2的記錄面密度，比常規的磁帶存儲介質（9.6 Gb/in2）大約20倍。這項技術支持每數據磁盒330TB的大容量存儲，但是常規技術只支持每數據磁盒15TB。

這些研髮結果由索尼和IBM蘇黎世研發團隊於2017年8月2日在日本筑波國際會展中心舉行的第28屆磁記錄大會上聯合發布。

近年來，物聯網（IoT）的發展，雲服務的普及以及大數據的應用幫助創造了新的市場，促進了對大容量數據存儲介質需求的增加。此外，在確保信息系統中（例如資料庫、伺服器和信息安全管理等方面）的數據能可靠恢復方面，數據存儲的重要性正在被重申。在這樣的背景下，磁帶由於眾多優勢顯示出其作為存儲介質的巨大潛力，包括長時間存儲數據能力、低能耗、低成本以及空間節省能力等。

縮小磁帶和磁頭之間的距離（空隙）對於磁帶存儲介質實現高密度記錄至關重要。減少的空隙會導致磁帶表面和磁頭之間的接觸點摩擦增加，但是必須要減少摩擦，且磁帶表面必須沿著磁頭平滑行進才能實現高速度、高容量讀寫。索尼在建立這種新的磁帶技術後，便研發出可以應用在磁帶表面和磁頭之間的潤滑劑。這種低摩擦的潤滑劑不僅減少了磁帶表面和磁頭之間的摩擦，而且在潤滑劑和磁帶的磁性層之間形成了牢固的粘合保護層。

此外，這項新技術可以創造出帶有微型磁性顆粒、延長帶長的納米級磁性層。一般情況下，普遍的問題是在磁層形成期間，設備表面產生的雜質氣體會導致晶體取向不統一和晶粒尺寸不一致。新研發的減少雜質氣體的處理技術可與濺射澱積方法一起使用。濺射澱積是一種形成平均粒徑為7nm的納米級磁層的方法，會使帶長延長。這些在加工技術方面的進步為生產可以容納1000多米長磁帶的磁帶存儲磁盒打下了基礎。

索尼將這項磁帶技術和IBM蘇黎世研發團隊新研發出的寫/讀磁頭、先進的伺服控制技術和創新的信號處理演算法相結合，創造了業內最高的記錄面密度——201 Gb/in2，比現在主流的磁粉膜磁帶數據存儲介質大約20倍。

索尼在這項新成果的基礎上，會繼續推進磁帶技術的發展，旨在將能夠進行大容量數據記錄的下一代磁帶存儲介質商業化，並實現更高的記錄密度。

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