死磕三星！傳：東芝總投資90億美元擴產3D-NAND

該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業子公司「東芝內存(Toshiba Memory Corporation,以下簡稱TMC)」負責策劃，而東芝是在說明上述新廠興建計劃後才進行TMC的招標作業，因此即便之後TMC易主、預估新廠興建計劃仍將持續。而實際上，TMC賣身錢不過1兆+日圓。

報導指出，東芝因TMC出售案一事和合作夥伴WesternDigital(WD)鬧翻、對立情勢加劇，因此上述新廠能否如之前一樣和WD分擔投資額仍舊不明，不過因TMC恐難於單獨進行巨額投資，故若無法和WD達成和解的話，恐必須重新思考合作策略、尋找新投資夥伴。

東芝3日宣布，關於目前已在四日市工廠廠區內興建的3D NAND專用廠房「第6廠房」投資案，因和WD子公司SanDisk未能獲得共識、協商破裂，故所需的設備投資金額將由TMC單獨負擔，且為了因應內存需求擴大，故投資金額將從原先規劃的1800億日圓加碼至約1950億日圓。東芝指出，計劃在2018年度將3D架構產品的產量比重提高至約90%。

早在6月28日，東芝為了展現其在NAND Flash的技術實力，宣布，將在明年量產全球首款採用堆棧96層製程技術的3D NAND Flash產品，且也試作出全球首見、採用4bit/cell(QLC)技術的3D NAND Flash產品。而東芝再出招，宣布已試作出全球首款採用硅穿孔(TSV)技術的3D NAND Flash產品、並將在年內送樣。

東芝表示，上述試作品採用堆棧48層製程技術，成功提高省電性能，且和採用打線接合(Wirebonding)技術的產品相比、其電力效率(每單位電力的數據傳送量、MB/s/W)可提高至約2倍水平；另外，藉由堆棧16片512Gb晶元、成功實現了1TB的大容量產品。

路透社、美聯社等多家外電報導，三星7月4日宣布，至2021年為止，要對位於平澤市的NAND型快閃記憶體廠房投入14.4兆韓元，並對華城市新建的半導體生產線投入6兆韓元。位於中國西安的NAND生產基地也會多蓋一條生產線，但投資金額和時間表還未定。

最新數據顯示，南韓6月份半導體出口價格創下30個月新高，再次證明全球晶元需求持續成長。南韓媒體Business korea.com報導，位於南韓平澤（Pyeongtaek）的三星內存廠正在加速擴廠，產業消息指出，東芝NAND產能僅能滿足蘋果七成需求，致使蘋果緊急向三星下單，三星積極擴充產能或與此有關。

內存廠商大手筆投資，讓IC Insights憂心忡忡。該機構7月18日稱，內存以往市況顯示，過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長江存儲(YangtzeRiverStorage)都大舉提高3D NAND flash產能，未來可能還有中國新廠商加入戰場，3D NAND flash產能過多的可能性「非常高」(veryhigh)。

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