Crossbar率先發難-欲徹底埋葬英特爾的3D XPoint技術

您是否認為英特爾的3D XPoint是目前市面上惟一的電阻式RAM（簡稱ReRAM）技術方案？事實上，Crossbar的ReRAM在幾乎各個方面都更勝一籌，且計劃於今年年內投入生產。

Crossbar公司的CMOS晶元

英特爾公司於2015年下半年匆匆投身非易失性內存（NVRAM）競爭當中，並很快公布了其3D XPoint NVRAM解決方案。然而為了能夠儘快交付實際產品，晶元巨頭不得不大幅下調部分技術規格，並導致最終產品無法令人滿意。

3D XPoint的實際表現不僅低於市場的普遍預期，同時亦在設計層面與英特爾自家CPU綁定在一起。潛在用戶自然希望在英特爾之外找到其它替代性供應商選項。

市場競爭

Crossbar公司就在這時挺身而出。這家年輕的企業誕生於2010年，專註於打造一款具有優異性能、可擴展性以及實際製造能力的完美ReRAM方案。

Crossbar公司指出，其解決方案的寫入速度較NAND快閃記憶體高1000倍，功耗水平則僅相當於快閃記憶體的二十分之一，此外使用壽命同樣達到快閃記憶體的1000倍以上。儘管速度與使用壽命尚無法與DRAM完全比肩，但二者的水平已經相當接近，而功耗更是優於快閃記憶體及DRAM--這一點非常適合移動設備與物聯網等平台。另外，其對環境溫度的適應能力也值得一提，工作溫度區間在零下40度到零上125度範圍。

製造能力對於實現批量生產同樣至關重要，而Crossbar公司在這方面也交出了一份令人滿意的答卷。其能夠使用標準化CMOS車間，僅添加數個步驟即可繼續沿用現有工具與製造工藝，另外這套方案也可輕鬆實現3D堆疊設計並藉此提升存儲密度。

不過3D並不是其惟一的存儲密度提升方式。該公司解釋稱，他們的設計方案能夠實現8納米級別製程水平，同時增加ON狀態與OFF狀態間的比例。該公司能夠在幾年之內生產出1 TB晶元，並在其中納入更小存儲單元尺寸與充足的分層數量。

在另一方面，NAND快閃記憶體則因單元尺寸下降所引發的使用壽命及穩定性削減而不得不選擇3D堆疊的發展道路。這意味著各供應商只能依靠快閃記憶體單元堆疊實現存儲密度提升。

存儲市場之爭

3D XPoint出師不利對於Crossbar以及Nantero等NVRAM廠商而言無疑是一種福音。遲緩的時間進度與令人失望的技術規格給了這些廠商喘息之機，而以微軟為代表的各大專業軟體廠商則不斷催促著新型存儲解決方案的出爐。

作為英特爾3D XPoint技術合作夥伴的美光公司對其計劃始終保持著戰略性沉默，這意味著3D XPoint發展路線圖未來可能會帶來更多意外驚喜。但對我們存儲技術消費者而言，能夠在NVRAM領域獲得更多備選方案顯然是件好事。

現在，睿智的架構師與設計師們需要以此為基礎，考量如何利用NVRAM的強大能力構建起更為出色的設備與系統方案。

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