Intel公布10nm製程參數：晶體管密度為友商2倍

IT之家9月19日消息 Intel在今天在北京舉辦的尖端製造大會上正式公布了10nm製程以及全球首次展示了10nm的晶圓。而在接下來的技術大會上，Intel介紹了自家的10nm工藝製程，同時和友商也就是台積電以及三星的10nm工藝製程進行對比。

Intel高級院士，製程架構總監Mark T.Bohr放出了Intel的10nm工藝製程與友商三星以及台積電的對比。可以看到Intel的10nm工藝製程在鰭片間距以及柵極間距均低於三星和天幾點，而最小金屬間距更是大幅領先於友商，從而在最終的邏輯晶體管密度參數上面，Intel的10nm工藝製程能夠達到每平方毫米1億晶體管，而台積電為4800萬，三星為5160萬，也就是說Intel的10nm工藝製程晶體管密度是台積電的2倍還多。

Intel同時稱未來還會有10nm+以及10nm++工藝。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！