Intel 遲到的 10nm 工藝終於要來了，並展望物理極限 3nm

Intel 今天在北京舉行了精尖製造日大會，會議上 Intel 正式向我們宣布了 10nm 製程一些技術細節，並且在全球範圍內首次展出 10nm 的晶圓。Intel 表示自家的 10nm 工藝有信心完全勝過台積電、三星，另外還可能提供更加優秀的製程性能提升，而 7nm 工藝技術研發已經完成，並展望 3nm 極限工藝。

圖文無關

雖然 Intel 的 10nm 工藝來得晚，台積電、三星兩家均已經進入了量產階段，並且也有實際產品在市面流通，例如高通驍龍 835 SoC。不過我們都知道台積電和三星在工藝製程命名上耍小聰明，也就是 " 數字 " 壓制，在一些關鍵技術參數上都是落後於 Intel 技術指標的，之前的 14nmm 就出現過。

而這次 Intel 主動公布出三家 10nm 工藝相關技術參數指標，我們看到 Intel 在這些關鍵性技術指標上都是吊打其餘兩家，例如由於 intel 10nm 光刻技術製造出來的鰭片、柵極間隔更小，因此在晶體管密度上幾乎是台積電、三星的兩倍，達到了每平方毫米 1 億個晶體管，同時保持了邏輯單元高度低的優良傳統，在 3D 堆疊上更有優勢。

Intel 即將發布的桌面級第八代酷睿代號為 Coffee Lake 依然是使用 14nm 工藝製造，14nm 在 Intel 上已經整整用了三代之久，看來 Intel 在研發 10nm 工藝上花費了大力氣才搞出來，以至於推出時間一拖再拖。10nm 工藝最早應該會用在低功耗移動平台上，代號為 Cannon Lake 的處理器上，桌面版的代號應該就是 Ice Lake 無疑。

此外 Intel 在現場全球首秀了 10nm 晶圓，還介紹了 Intel 在工藝上的技術路線圖，在路線圖中顯示 10nm、7nm 技術已經完成了研發，但是尚未投產。而 Intel 已經對於硅基半導體極限工藝 5nm、3nm 進行前沿探索中，其中包括了一些比較先進、前沿具有探索性質的技術，包括了納米線晶體管、III-V 族晶體管，3D 堆疊、密集內存、密集互聯、EUV 團成形、神經元計算以及自旋電子學。這些項目有可能將會成為研發 5/7nm 工藝的關鍵性技術。

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