衝擊人類極限！Intel首次自曝3nm工藝

這幾年，Intel新工藝的前進步伐明顯慢了下來，三星、台積電則是一路狂飆，而且完全不按套路出牌，節點命名相當隨意，16nm優化一下就叫12nm，甚至10/9/8/7/6/5nm一口氣都推上去。

Intel這版雖然走的不快，但如此混淆視聽也實在看不下去了，畢竟更顯得自己不思進取嘛。在今天的精尖製造日上，Intel就對比了自家和台積電、三星的10nm工藝，力圖證明自己才是真正的10nm，技術上更先進。

面對未來，Intel其實也準備了很多好牌，10nm產品發布在即，7nm基本準備就緒，5nm、3nm也都在規劃之中。

從Intel給出的路線圖看，5nm、3nm還處於前沿研究階段，具體如何實現尚未定型，量產更不知何年何月，但無論如何，這意味著Intel對於硅半導體技術的追求將堅定地走下去。

而為了達成5nm、3nm，Intel也在做很多技術上的前沿研究，包括：

－ 納米線晶體管：被認為是未來技術的一種選擇，因為納米線的結構可提供改進通道靜電，從而進一步實現晶體管柵極長度的微縮。

－ III-V材料：硅是MOSFET通道中經常使用的材料，但是III-V材料（如砷化鎵和磷化銦）改進了載流子遷移率，從而提供更高的性能或者能夠在更低的電壓和更低的有功功耗下運行晶體管。

－ 3D堆疊：硅晶片的3D堆疊有機會實現系統集成，以便把不同的技術混裝到一個很小的地方。

－ 密集內存：多種不同的高密度內存選擇，其中包括易失性和非易失性存儲技術，正在探索和開發中。

－ 密集互聯：對於精尖製程工藝來說，微縮互聯和微縮晶體管一樣重要。新的材料和圖案成形技術正在探索中，以支持高密度互聯。

－ 極紫外光刻(EUV)：採用13.5納米波長。由於當今的193納米波長工具已達到其微縮極限，該技術正在研發中以實現進一步的微縮。

－ 自旋電子學：一種超越CMOS的技術，當CMOS無法再進行微縮的時候，這是一種選擇，可提供非常密集和低功耗的電路。

－ 神經元計算：一種不同的處理器設計和架構，能夠以比當前計算機高得多的能效執行某些計算功能。

至於摩爾定律的極限到底在哪裡，誰也不知道。

有趣的是，台積電整整一年前就公布了自己的5nm、3nm規劃，並稱已有三四百人的團隊在攻關3nm，但沒有透露任何詳細情況。

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