英特爾發布 10 納米製程，強調效能領先台積電與三星

【Technews科技新報】隨著在晶圓代工領域的競爭對手台積電與三星，均已陸續進入 10 納米製程技術領域。因此，半導體大廠英特爾 （intel） 也不甘示弱，在 19 日於中國北京所舉辦的尖端製造大會上，正式公布了自家的 10 納米製程技術，以及全球首次對外展示的 10 納米的晶圓。intel 還宣布，將在接下來的技術大會上，除了介紹了自家的 10 納米製程技術之外，同時也將與競爭對手，也就是台積電以及三星的 10 納米製程技術進行比較。

會議上，Intel 高級院士，製程架構總監 Mark T.Bohr 發布了 Intel 的 10 納米製程技術。Mark T.Bohr 表示，與台積電和三星等競爭對手的對比，可以看到 Intel 的 10 納米製程技術在鰭片的間距，以及柵極間距均低於台積電與三星，而且最小金屬間距更是大幅領先其競爭對手。

另外，從而在最終的邏輯電晶體密度參數上面，Intel 的 10 納米製程技術能夠達到每平方毫米 1 億電晶體，而台積電為 4,800 萬，三星為 5,160 萬，也就是說 Intel 的 10 納米製程技術電晶體密度是台積電的 2 倍還多。

另外，在英特爾執行副總裁 Stacy J.Smith 講解完 Intel 未來戰略演講後，Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 納米製程技術所打造的晶圓，這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎的部分。可以說這個 10 納米的晶圓是全球首次展示。雖然，Intel 表示自家的 10 納米製程技術還將會領先競爭對手很多，而且未來還有 10 納米 + 以及 10 納米 ++ 製程技術。

不過，在目前 Intel 還沒有對最新的 10 納米製程技術發布更多的技術資訊情況下，相關的狀況仍無法完全確認。不過，intel 已經表示，將會在 2017 年底前正式投產 10 納米製程技術的處理器。

（首圖來源：Flickr/Pascal Volkcc by 2.0）

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