英特爾發布10nm製程 性能領先台積電和三星

台積電與三星的晶圓領域均已經進入了 10nm 製程，半導體大廠英特爾(Intel）也不甘示弱，今天在中國北京所舉辦的尖端製造大會上，英特爾正式公布了自家的 10 nm 製程技術，以及全球首次對外展示的 10 nm 晶圓。英特爾還宣布，該公司將會在接下來的技術大會上，除了介紹自家的 10 nm 製程技術之外，同時也將於競爭對手，也就是台積電以及三星的 10 nm 製程技術進行比較。

在本次大會上，英特爾製程架構總監 Mark T.Bohr 發布了英特爾的 10 nm 製程技術。Mark T.Bohr 表示，與台積電和三星等競爭對手相比，可以看出英特爾的 10 nm 製程在鰭片的間距、柵極間距都低於台積電和三星，而且最小金屬間距更是大幅領先競爭對手。

另外，從最終邏輯晶體管密度參數上面，英特爾的 10 nm 製程技術能夠達到每平方毫米 1 億晶體數，而台積電為 4800 萬，三星為 5160 萬，也就是說英特爾的 10nm 製程技術的晶體密度是台積電的 2 倍還多。

另外，英特爾執行副總裁 Stacy J.Smith 做完英特爾未來戰略演講後，Smith 還向全世界首次展示了以最新 10 nm 製成技術所打造的圓晶，這也是未來 Cannon Lake CPU 的最基礎部分。這次是英特爾首次全球展示 10 nm 的圓晶，雖然英特爾表示自家的 10 nm 製成技術還將會領先競爭對手很多，而且未來還會有 10 nm+ 以及 10nm++ 製程技術。

不過在目前英特爾還沒有對最新的 10nm 製成技術透露更多的技術資訊。英特爾已經表示，將會在 2017 年底前正式投產 10 nm 製成技術的處理器。

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