三星宣布將推全球首款1TB快閃記憶體，然而512GB手機還沒發布！

目前手機快閃記憶體最高規格是256GB，但這並不是終點，因為存儲廠商們還在努力把更大的容量壓縮成小巧的晶元。這其中，專註於手機內存和快閃記憶體晶元的三星就要有大動作了。

三星半導體在近期的加尼福尼亞聖克拉拉舉行的快閃記憶體峰會上，展示了該公司全新的Vertical-NAND存儲解決方案和技術。三星宣布，將於明年正式推出1TB的V-NAND晶元，這是業界首款採用三維結構單晶元設計的NAND晶元。

據介紹，這款1TB V-NAND晶元將通過堆疊16個1TB模具，來使2TB存儲裝入單個V-NAND進行封裝。三星表示，其將代表過去10年中存儲方面最重要的進展之一。

為此，三星解決方案開發執行副總裁鄭在憲（音譯）在主題演講時介紹稱，三星在韓國京畿道平澤市啟用了全新的V-NAND晶元生產線。

隨著基於人工智慧和物聯網技術的行業數據密集型應用的迅速增長，快閃記憶體的作用已經成為加速提取信息並用以實時分析速度的關鍵。因此，全新的SSD和快閃記憶體晶元在未來將會具備更智能的解決方案，例如在機器學習和高性能表現方面。

搭載512GB存儲的手機還沒發布，轉眼1TB快閃記憶體晶元都要來了，然而最悲傷的是小雷卻還在默默使用64GB存儲的手機。從現實角度來看，三星的1TB晶元雖然能夠在明年發布，但安裝到手機上勢必會進一步提升手機的價格，因此在未來很長一段時間，其都很難普及到一般消費者身上。

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