CPU靠邊!Intel竟要把10nm的第一次給它
科技
09-27
Intel這幾年製造工藝的推進緩慢頗受爭議,而為了證明自己的技術先進性,Intel日前在北京公開展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA晶元,並宣稱同樣是10nm,自己要比對手領先一代,還透露了未來7nm、5nm、3nm工藝規劃。
按照目前的消息,Cannon Lake將是Intel的第一款10nm工藝處理器,但在它之前,Falcon Mesa FPGA可編程晶元會更早使用10nm。
不過據最新報道,Intel 10nm的第一站,其實是NAND快閃記憶體,而且是64層堆疊的3D快閃記憶體。
至於為何在快閃記憶體上首先使用新工藝,很大可能是因為NAND快閃記憶體結構相對簡單,基本上就是海量同類晶體管堆積,相比之下CPU處理器就複雜多了,使用新工藝風險很大——這也是Intel 14nm、10nm屢屢推遲的一個因素。
目前還不清楚Intel 10nm快閃記憶體的具體情況,但肯定是首先用於數據中心市場,等成本下來了再推到消費級領域。
按照Intel的說法,10nm工藝使用了FinFET(鰭式場效應晶體管)、Hyper Scaling(超縮微)技術,可將晶體管密度提升2.7倍,結果自然可以大大縮小晶元面積,對快閃記憶體來說當然就能極大地提升容量。
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