大卸八塊！固態硬碟直接拆到晶元內部看究竟

在一般固態硬碟評測中，拆解出PCB，給主控、DRAM緩存、NAND快閃記憶體分別拍拍照就算完成了，而今天存儲極客將探索更多，看完顆粒不過癮，顆粒內部又是什麼樣子呢？

存儲極客選擇了一塊東芝120G原廠固態硬碟進行拆解：四核心八通道主控、外置DRAM緩存、原廠快閃記憶體顆粒，各方面都是高規格的用料，很快它就要被破壞性拆解了！

為了方便打磨，存儲極客選擇了上圖中右下角的快閃記憶體顆粒入手，打磨棒舞起來！幾下下去快閃記憶體顆粒上的字跡就不見了。不同於某些固態硬碟將白片打磨後打上假原廠標，這次存儲極客要做的是將真正原廠顆粒打磨到「零件級」，看看顆粒內部到底什麼樣！

很快顆粒表面的一層封裝材料被打磨掉，露出了內部的金屬引線。這顆東芝快閃記憶體使用的是TSOP封裝，而另外一種BGA封裝的結構與此又會有很大的不同。

在存儲極客的持續摧殘下，快閃記憶體顆粒開始支離破碎，引線層之下露出明亮的快閃記憶體晶元：薄薄的一片，這就是從晶圓中經過層層挑選的、品質最好的原廠快閃記憶體。快閃記憶體晶元之所以要封裝成顆粒使用主要有3個方面原因：固定引腳系統、保護晶元、增強散熱。

這顆編號為TC58TEG7THL的東芝15nm TLC快閃記憶體至此被拆解回晶元狀態，它採用的是單Die封裝，16K Page，單個Die的RAW容量最大18.96GB，擁有多達19%的出廠冗餘容量，搭配原廠固件的糾錯演算法，令15nm TLC快閃記憶體可發揮出高達3000次擦寫的寫入壽命。

文章到這裡並沒有結束，存儲極客還想再談談東芝的更高級封裝技術——TSV硅通孔技術。上面拆解的快閃記憶體顆粒是最簡單的情況：一個快閃記憶體顆粒內部只有一顆晶元。而為了達到更高容量和更高性能，應用疊Die方式可以在單個快閃記憶體顆粒中塞入多顆快閃記憶體晶元，並通過引線將其聯繫起來。

除了前邊的引線之外，東芝研發出了針對快閃記憶體使用的TSV硅通孔晶元互聯技術，可將單個快閃記憶體顆粒內的晶元堆疊個數提高到16個！快閃記憶體容量得以翻倍增長，同時性能也獲得了提升。

隨著3D製程的引入，每個快閃記憶體小晶元內部同樣是立體堆疊的結構，雙重堆疊的結果就是容量的提高與再提高。

如果輔以東芝率先宣布的3D QLC快閃記憶體類型，應用TSV技術16Die封裝，單顆快閃記憶體顆粒容量可以做到1.5TB的新高度！在指甲蓋大小上實現比機械硬碟更大的容量，已經不再是天方夜譚！而這一切都要感謝東芝在1984年發明快閃記憶體，並在過去30多年間持續引領快閃記憶體技術的不斷發展。

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