國家存儲器基地項目一號生產及動力廠房提前封頂

IT之家9月29日消息 據中證網報道，9月28日上午10時，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房，實現提前封頂。這標誌著開工9個月的國家存儲器基地項目建設向前邁出了堅實一步。

據悉，國家存儲器基地項目位於武漢東湖高新(600133,股吧)區的武漢未來科技城，項目一期規劃投資240億美元（約合人民幣1600億元），佔地面積1968畝，於2016年12月30日正式開工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。

此次提前封頂的項目（一期）一號生產及動力廠房建築面積達52.4萬㎡，預計將於2018年投入使用。項目（一期）達產後，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

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