中芯國際亮相第五屆國際RF-SOI論壇
2017年9月27日，第五屆國際RF-SOI(射頻絕緣體上硅)論壇在浦東嘉里酒店隆重召開。此次論壇針對中國RF-SOI生態系統，RF-SOI市場及供應鏈展開討論，中芯國際亮相論壇，並發表中芯國際0.13微米RF-SOI平台最新進展的主題演講。
演講主要介紹了手機射頻前端晶元的發展趨勢,探討了手機技術由3G/4G標準向5G發展所需射頻前端晶元/模組數量的增長趨勢，以及設計複雜度提升帶來的挑戰，預測了未來可能採用的幾種解決方案，同時，展示了中芯國際0.13微米RF-SOI工藝平台的最新進展，以及用於RF-SOI射頻前端的核心射頻模塊低雜訊放大器、射頻開關和功率放大器晶元/單元的最新測試結果，表明中芯國際的RF-SOI工藝具有所有相關射頻前端器件的設計能力。
中芯國際發表《中芯國際0.13微米RF-SOI平台的最新進展》的演講
論壇舉行期間，中芯國際在會場設立展台，來自市場部、設計服務中心和技術研究發展中心的專家為客戶及合作夥伴講解公司的最新進展，並進行深入交流。
中芯國際展台備受關注
參與本次論壇的還有來自國際頂級半導體公司、科研院所、投資機構和政府部門等，近300位業內精英，展示了一年來RF-SOI領域的技術創新和重大突破，研討RF-SOI在全球物聯網、5G連接、移動通訊、毫米波等領域的重要產品應用。
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