三星壓力劇增！1600億元，中國存儲器迎來破局，打破美日韓壟斷！

說去存儲器，現在市場基本被日美韓壟斷，尤其是三星。尤其是現在存儲器價格一直處於價格上漲，而且預計還會更進一步攀升。背後便是供需關係，三星分走大部分利益。三星本就是DRAM市場霸主，價格喊漲帶動下，今年業績將一路旺到年底。從去年下半年開始，固態硬碟、內存條、以及快閃記憶體卡等存儲產品的價格就緩步增長，而在三星Note7接連自燃事件之後，固態硬碟、內存條的價格更是堪稱瘋漲。三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國外巨頭佔據80%以上的市場份額，其中三星是領頭羊，市場份額約38%。而現在國產存儲器馬上落地了。

近日由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目（一期）一號生產及動力廠房，實現提前封頂。這標誌著開工9個月的國家存儲器基地項目建設向前邁出了堅實一步。項目一期規劃投資240億美元（約合人民幣1600億元），將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目（一期）達產後，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

作為國內知名的半導體生產企業，紫光董事長趙偉國此前表示，紫光集團在移動晶元業務方面，到2020年時大幅縮小與全球兩大手機晶元商美國高通、台灣聯發科技距離。在十年內，紫光要躍身成為全球前五大存儲器製造商。紫光計劃以三維快閃記憶體為切入點，進軍高端存儲器領域，進入世界存儲器企業第一梯隊。屆時，將會貢獻中國晶元製造自產率的8%。

由於國內起步較晚，到目前為止中國還沒有完全自產的存儲器晶元產出，以NAND Flash內存為例，韓國的三星、SK海力士，日本東芝、美國的西部數據及美光、英特爾掌握了全球市場。而紫光認為伴隨著技術的更新換代，中國存儲器晶元產業也會像國產顯示面板一樣發展起來。

不論是DRAM內存還是NAND快閃記憶體市場，目前都被極少數廠商所統治，紫光希望打破少數公司對市場的壟斷，該公司進入市場將為業界帶來良性競爭。中國市場消耗了全球55%的存儲晶元產能，在強大的市場需求及中國政府的財政支持下，長紫光將增強對現有幾家存儲晶元公司的競爭力。貝恩公司預計中國到2020就會製造全球55%的存儲器、邏輯和模擬晶元。

國產存儲器晶元取得新進展，將倒逼三星降價。現在我國3D NAND存儲器研發項目取得新進展，32層3D NAND晶元順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求。外媒報道稱，中國這樣的新一輪大規模國產化攻勢或將動搖以美國為首隨後是韓國、日本和台灣地區主導的世界市場。在鋼鐵、船舶建造、太陽能面板之後，中國大陸這個亞洲巨頭又打算通過巨額投資的模式再一次擊暈對手。

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