《射頻微波功率場效應管的建模與特徵》

內容簡介

《射頻微波功率場效應管的建模與特徵》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構造，介紹了高功率場效應管的集約模型的構成；描述了功率管一般電氣參數的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭、焊接裸線、引線等無源部分進行建模和模擬，熱特徵的測量模擬與建模；詳細分析了功率管有源部分的複合建模，包括小信號建模、大信號建模，電荷守恆定理，溫度變化條件下的模型建立；還從數學上分析了集約模型的函數近似逼近方法，從工程設計的角度出發闡述了模型在計算機輔助設計工具包中的應用，最後對設計的模型進行了驗證。

作者簡介

Peter H.Aaen

分別於1995年、1997年和2005年獲得加拿大多倫多大學工程科學學士學位和電氣工程碩士學位，以及美國亞利桑那州立大學電氣工程博士學位。他現在是美國亞利桑那州的飛思卡爾半導體公司射頻部門射頻建模小組的總管；他在1997年加入該公司（那時稱為摩托羅拉公司的生產事業部）。他的專業領域是為功率晶體管和IC的設計和開發建立無源和有源集約模型。在出任總管之前，他致力於為複雜封裝環境開發有效的電磁模擬方法。現在他的工作主要集中在微波晶體管模型和無源元件的開發和驗證方面。他的技術方向還包括電磁優化方法、微波測量的校準技術和封裝建模技術的開發。

近年來，他出席了IMS（國際微波研討會）和RWS（無線電研討會）的各種專題學術討論會，在過去兩年中他是IMS技術項目委員會的成員。在電磁模擬、封裝建模以及微波器件建模和表徵方面，他單獨或與他人合作完成了數十篇論文、專題文章和專題學術討論文章。他還是IEEE和MTT-S（微波理論與技術學會）的成員。

目錄

第1章 射頻微波功率晶體管

1.1 引言

1.2 晶體管建模過程概述

1.3 高功率晶體管的商業應用回顧

1.4 硅器件技術發展

1.5 複合半導體（Ⅲ-Ⅴ族）器件技術發展

1.6 FET基本工作原理

1.7 封裝

1.8 未來發展趨勢與方向

附錄A MESFET中fT的推導

參考文獻

第2章 高功率FET集約模型導論

2.1 引言

2.2 物理建模

2.3 集約模型

······

點擊展開全文

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！