如何裝著很懂半導體晶圓製造？值得收藏

何謂蝕刻(Etch)?

答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的製程。

蝕刻種類:

答：(1) 干蝕刻(2) 濕蝕刻

蝕刻對象依薄膜種類可分為:

答：poly,oxide, metal

何謂 dielectric 蝕刻(介電質蝕刻)?

答：Oxide etch and nitride etch

半導體中一般介電質材質為何?

答：氧化硅/氮化硅

何謂濕式蝕刻

答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除

何謂電漿 Plasma?

答：電漿是物質的第四狀態.帶有正,負電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負離子,中性分子,活性基及發散光子等,產生電漿的方法可使用高溫或高電壓.

何謂乾式蝕刻?

答：利用plasma將不要的薄膜去除

何謂Under-etching(蝕刻不足)?

答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應被去除的薄膜仍有殘留

何謂Over-etching(過蝕刻 )

答：蝕刻過多造成底層被破壞

何謂Etch rate(蝕刻速率)

答：單位時間內可去除的蝕刻材料厚度或深度

何謂Seasoning(陳化處理)

答：是在蝕刻室的清凈或更換零件後，為要穩定製程條件，使用模擬（dummy） 晶圓進行數次的蝕刻循環。

Asher的主要用途:

答：光阻去除

Wet bench dryer 功用為何?

答：將晶圓表面的水份去除

列舉目前Wet bench dry方法:

答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry

何謂 Spin Dryer

答：利用離心力將晶圓表面的水份去除

何謂 Maragoni Dryer

答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除

何謂 IPA Vapor Dryer

答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除

測Particle時,使用何種測量儀器?

答：Tencor Surfscan

測蝕刻速率時,使用何者量測儀器?

答：膜厚計,測量膜厚差值

何謂 AEI

答：After Etching Inspection 蝕刻後的檢查

AEI目檢Wafer須檢查哪些項目:

答：(1) 正面顏色是否異常及刮傷 (2) 有無缺角及Particle (3)刻號是否正確

金屬蝕刻機台轉非金屬蝕刻機台時應如何處理?

答：清機防止金屬污染問題

金屬蝕刻機台asher的功用為何?

答：去光阻及防止腐蝕

金屬蝕刻後為何不可使用一般硫酸槽進行清洗?

答：因為金屬線會溶於硫酸中

"Hot Plate"機台是什幺用途?

答：烘烤 Hot Plate

烘烤溫度為何?

答：90~120 度C

何種氣體為Poly ETCH主要使用氣體?

答：Cl2, HBr, HCl

用於Al 金屬蝕刻的主要氣體為

答：Cl2, BCl3

用於W金屬蝕刻的主要氣體為

答：SF6

何種氣體為oxide vai/contact ETCH主要使用氣體?

答：C4F8, C5F8, C4F6

硫酸槽的化學成份為:

答：H2SO4/H2O2

AMP槽的化學成份為:

答：NH4OH/H2O2/H2O

UV curing 是什幺用途?

答：利用UV光對光阻進行預處理以加強光阻的強度

"UV curing"用於何種層次?

答：金屬層 何謂EMO? 答：機台緊急開關

EMO作用為何?

答：當機台有危險發生之顧慮或已不可控制,可緊急按下

濕式蝕刻門上貼有那些警示標示?

答：(1) 警告.內部有嚴重危險.嚴禁打開此門 (2) 機械手臂危險. 嚴禁打開此門 (3) 化學藥劑危險. 嚴禁打開此門

遇化學溶液泄漏時應如何處置?

答：嚴禁以手去測試漏出之液體. 應以酸鹼試紙測試. 並尋找泄漏管路.

遇 IPA 槽著火時應如何處置??

答：立即關閉IPA 輸送管路並以機台之滅火器滅火及通知緊急應變小組

BOE槽之主成份為何?

答：HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨).

BOE為那三個英文字縮寫 ?

答：Buffered Oxide Etcher 。

有毒氣體之閥櫃(VMB)功用為何?

答：當有毒氣體外泄時可利用抽氣裝置抽走,並防止有毒氣體漏出

電漿的頻率一般13.56 MHz,為何不用其它頻率?

答：為避免影響通訊品質,目前只開放特定頻率,作為產生電漿之用,如380~420KHz ,13.56MHz,2.54GHz等

何謂ESC(electrical static chuck)

答：利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板 (Substrate) 上

Asher主要氣體為

答：O2

Asher機台進行蝕刻最關鍵之參數為何?

答：溫度

簡述TURBO PUMP 原理

答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR

熱交換器(HEAT EXCHANGER)之功用為何？

答：因為溫度會影響製程條件;如etching rate/均勻度

為何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)?

答：因為氣壓若太大會造成pump 負荷過大;造成pump 跳掉,影響chamber的壓力,直接影響到run貨品質

為何要做漏率測試? (Leak rate )

答： (1) 在PM後PUMP Down 1~2小時後;為確保chamber Run 貨時,無大氣進入chambe 影響chamber GAS 成份(2) 在日常測試時,為確保chamber 內來自大氣的泄漏源,故需測漏 機台發生

Alarm時應如何處理?

答：(1) 若為火警,立即圧下EMO(緊急按鈕),並滅火且通知相關人員與主管(2) 若是一般異常,請先檢查alarm 訊息再判定異常原因,進而解決問題,若未能處理應立即通知主要負責人 蝕刻機台

廢氣排放分為那幾類?

答：一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放

蝕刻機台使用的電源為多少伏特(v)?

答：208V 三相

乾式蝕刻機台分為那幾個部份?

答：(1) Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4) 真空系統 (5) GAS system (6) RF system

在半導體程制中,濕製程(wet processing)分那二大頪?

答：(1) 晶圓洗凈(wafer cleaning) (2) 濕蝕刻(wet etching).

晶圓洗凈(wafer cleaning)的設備有那幾種?

答：(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafer type(spray type)

晶圓洗凈(wafer cleaning)的目的為何?

答：去除金屬雜質,有機物污染及微塵.

半導體製程有那些污染源?

答：(1) 微粒子(2) 金屬(3) 有機物(4) 微粗糙(5) 天生的氧化物

RCA清洗製程目的為何?

答：於微影照像後,去除光阻,清洗晶圓,並做到酸鹼中和,使晶圓可進行下一個製程.

洗凈溶液 APM(SC-1)--> NH4OH:H2O2:H2O的目的為何?

答：去除微粒子及有機物

洗凈溶液 SPM--> H2SO4:H2O2:H2O的目的為何?

答：去除有機物

洗凈溶液 HPM(SC-2)--> HCL:H2O2:H2O的目的為何?

答：去除金屬

洗凈溶液 DHF--> HF:H2O(1:100~1:500)的目的為何?

答：去除自然氧化膜及金屬

洗凈溶液 FPM--> HF:H2O2:H2O的目的為何?

答：去除自然氧化膜及金屬

洗凈溶液 BHF(BOE)--> HF:NH4F的目的為何?

答：氧化膜濕式蝕刻

洗凈溶液 熱磷酸--> H3PO4的目的為何?

答：氮化膜濕式蝕刻

0.25微米邏輯組件有那五種標準清洗方法?

答：(1) 擴散前清洗(2) 蝕刻後清洗(3) 植入後清洗(4) 沉積前洗清 (5) CMP後清洗

超音波刷洗(ultrasonic scrubbing)目的為何?

答：去除不溶性的微粒子污染

何謂晶圓盒(POD)清洗?

答：利用去離子水和界面活性劑(surfactant),除去晶圓盒表面的污染.

高壓噴洒(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些製程之後?

答：(1) 鋸晶圓(wafer saw) (2) 晶圓磨薄(wafer lapping) (3) 晶圓拋光(wafer polishing) (4) 化學機械研磨

晶圓濕洗凈設備有那幾種?

答：(1) 多槽全自動洗凈設備 (2) 單槽清洗設備 (3) 單晶圓清洗設備.

單槽清洗設備的優點?

答：(1) 較佳的環境製程與微粒控制能力. (2) 化學品與純水用量少. (3) 設備調整彈性度高.

單槽清洗設備的缺點?

答：(1) 產能較低. (2) 晶圓間仍有互相污染

單晶圓清洗設備未來有那些須要突破的地方?

答：產能低與設備成熟度

信息來源網路

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