英特爾與鎂光將結束快閃記憶體合作 或在製程工藝上存在分歧

據 AnandTech 報道，英特爾（Intel）與鎂光（Micron）之間維持了很長一段時間的 NAND 快閃記憶體開發與製造合作，將很快迎來終結 —— 兩家公司將在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之後分道揚鑣。12 年前，英特爾和鎂光成立了一家名叫 IMFT 的合資公司。在固態硬碟成為主流前，IMFT 開始生產基於 72nm 平面工藝的 NAND 顆粒。在歷史上的大部分時間裡，該公司一直是全球四大 NAND 快閃記憶體製造商之一。

兩家公司的合作只涉及存儲技術和製造領域，在共享快閃記憶體技術的基礎上，兩家公司是各自開發、以及向公開市場銷售固態硬碟的。

對於即將面對的分道揚鑣，其實並非沒有先例。早在 2012 年的時候，英特爾就已經將自己持有的部分 IMFT 工廠股份轉售給了鎂光，只留下了最初聯合擁有的猶他州萊希（Lehi）工廠。

自那時起，兩家公司都各自建造了更多的廠區，但研發工作仍然圍繞猶他州的這處設施展開。英特爾拒絕向最終的 16nm 平面型 NAND 節點投資，將這項任務完全拋給了鎂光自己。與此同時，他們的第一代 3D NAND 也在開發之中。

兩家公司在 NAND 快閃記憶體業務方面有著非常不同的側重點：英特爾的顆粒幾乎只給自家用，而鎂光則慷慨地與第三方分享。英特爾主攻的是企業市場，近期多數消費級 SSD 的主控開發都外包了。

甚至在決定跳過 16nm IMFT 節點的時候（在自家 3D NAND 做好準備前並無成本優勢），英特爾還為一些客戶端和消費級 SSD 選用過從 SK 海力士那裡採購來的 16nm NAND 快閃記憶體。

隨著 59㎡ 的 256Gbit @ 64 層 3D TLC 快閃記憶體的推出，鎂光在移動市場上表現出了越來越大的興趣。儘管英特爾一直傾向於用更大的快閃記憶體晶元來支撐其企業級 SSD，但這一選項在智能機領域並不不是那麼方便。

當然，即便有這些分歧，也不至於是壓塌雙方合作的最後一根稻草。AnandTech 指出，即將到來的製程挑戰，可能是促使它們尋找截然不同的策略的主因。

英特爾和美光當前正在推出第二代 64 層 3D NAND 快閃記憶體，在第三代完成開發後，其很有可能會轉向 96 層的設計。而要將層數增加到三位數，可能要在接下來的一兩代中採用堆疊。

兩家公司或許對何時在製造方式上作出改變上有些分歧，還有一種可能是，其中一方想要將 3D 浮動柵極架構、換成更類似於三星等 3D NAND 廠商的電荷陷阱式設計。

這一舉措將對兩家公司的戰略產生重大的影響，其中一方不得不完全承認失敗。有跡象表明，在 2D 到 3D 轉進的過程中，浮動柵極已經開始成為一個障礙。

然而截至目前，兩家公司都沒有表現出任何技術變革的跡象。在此之前的幾年時間裡，這種改變隨時可能發生，並根據對方採取的方法來判斷。

也有一種可能是，兩家公司的 NAND 快閃記憶體技術，會在未來更多代產品上保持大同小異。不過分道揚鑣之後，並不會影響 IMFT 的 3D XPoint 存儲技術的開發與製造。

目前只有英特爾將 3D XPoint 產品推向市場（比如傲騰快閃記憶體），而鎂光這邊的 QuantX 仍屬於處於真空狀態。不過除了聲明繼續聯合開發 3D XPoint 之外，鎂光今日沒有透露有關這項技術的後續計劃。

[編譯自：AnandTech, 來源：Intel & Micron]

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！