硬體資訊：QLC後面居然是PLC！5bit SSD顆粒也要來了？
新聞1：4bit QLC/5bit PLC固態盤齊來到，1元1GB
SLC的固態盤在如今的市面上已經是鳳毛麟角，MLC也越來越少，TLC開始成為市場的絕對主流。1月15日，TheReg撰文，談到了QLC快閃記憶體的未來和3D NAND之間的關係，還是非常有趣的。QLC顧名思義，就是4bits Cell，電信號存儲的密度更高。其實早在2009年，SanDisk（閃迪）就試圖用43nm工藝製造QLC快閃記憶體，但因為錯誤率奇高，不得不放棄。
錯誤率是Flash快閃記憶體一座不可避免的大山，通常的處理方式是主控中加入ECC校驗技術，即在數據位中插入校驗位。
說到這裡你就明白了，數據位越少，出錯率必然越低，所以從存儲方式上，SLC必然是最扛用的，其次是MLC、QLC……
同時，工藝也是如此。製程越先進，ECC校驗位就要增多，糾錯難度就越高。
而閃迪之所以搞不定錯誤率這個問題是因為當時3D NAND還沒發展起來，基於43nm工藝的2D平面來做校驗，要想數據達到一定的準確率，要不容量很小，要不成品尺寸巨大。
而隨著3D NAND的成熟，TLC甚至QLC的未來突然豁然開朗起來。由於3D構造方式的優勢，浮柵周圍形成一圈作為支柱通道，面積增加3倍，所以30nm做出了90nm的效果，糾錯難度大大下降。
如圖所示，同樣是15nm級別，MLC快閃記憶體只需要50個ECC校驗位，而TLC則需要多達75個。
可在3D QLC快閃記憶體時代，20個ECC校驗位都綽綽有餘。
Objective Analysis的專業人士Jim Handy撰文指出，所以，他說PLC快閃記憶體（5bits/Cell）是必然，因為一個最顯而易見的事實是，原來1TB QLC SSD立馬增大到1.25TB，屆時的1元1GB才會有可能。
糾正一下啊，1元1G時代，本來就可以有的，只不過多虧了三棒。至於QLC，PLC的話題我就不去爭了。反正，容量大，保質保量，就是好事！順便我們來普及以下未來的顆粒都叫什麼名字吧！（源自reddit）
6bit：HLC（hexa）
7bit：SELC（sep）
8bit：OLC（octa）
9bit：NLC（non）
10bit：DLC（dec）
11bit：ULC（undec）
新聞2：前AMD大牛操刀 Intel重回獨顯，兩款新品曝光
上周一（1月8日），Intel正式發布了8代酷睿處理器家族新成員，後綴為G的Kaby Lake Refresh晶元。這五款產品覆蓋Core i7和i5，最大的特點就是採用MCM多晶元封裝，集成了AMD Vega M定製GPU和HBM2顯存。
由此，最高端的i7-8809G的圖形性能一舉超越了GTX 1060 Max-Q，將成為新一代遊戲本的一種集成度更高的晶元解決方案。
不過有趣的是，即便有如此之強的Vega輔助，Intel沒有砍掉HD620核顯，而是強調在低負載和超過6屏的輸出任務時，核顯依然可以體現出作用。
據TPU報道，The Motley Fool的一位科技股評論人員Ashraf Eassa透露稱，Intel內部已經開始秘密研發第12代和13代獨顯，前者代號 「Arctic Sound」，後者代號「Jupiter Sound」。
其中 「Arctic Sound」將採用和Intel/AMD合體CPU一樣的嵌入式多晶元互連橋接 (EMIB) 技術。由此來看，Intel的新獨顯應該也是HBM顯存，而且性能比較強悍，以至於無法封裝到CPU中。
目前，8代酷睿的UHD核顯僅僅是9代半（Gen 9.5），從這個節奏來看，消費者要等很久了。
去年末，Intel招攬了AMD RTG負責人、Navi架構之父Raja Koduri跳槽，當時對外的說辭就是，Raja幫助Intel重新進軍獨顯領域。
Intel還是做過獨顯的，很早的的intel I-740就是代表。可惜做不下去了。現在intel重返獨顯，怕還是放不下GPU市場的大蛋糕。順便再給大家科普以下獨顯核顯集顯定義。
獨顯：一般為獨立於CPU PCB上或不與CPU在同一晶圓的顯卡，我們稱為獨顯。比如主板集成GTX860M，那叫獨顯，intel的i7-8809G，Vega部分叫獨顯。
集顯：一般在設計過程中已經集成在主板PCH中，不可拆卸的顯卡，叫做集顯。這類顯卡現在消費級領域已經越來越少了。比如以前經典的945G，這類顯卡伴隨的特點是功耗低，以至於功耗低的理論上算獨顯的顯卡我們都會稱為集顯，比如伺服器領域的aspeed顯卡，嚴格來說這是獨顯，但你叫集顯好像也不會錯。
核顯：自intel第一代酷睿誕生的概念，既直接與GPU集成在一個晶圓內或者與CPU集成在一個PCB上的顯卡叫做核顯。比如intel i7-8809G中的UHD就是核顯。之所以會有「集成在一個PCB「的概念，是因為第一代酷睿核顯和CPU還不在一個晶圓里。
新聞3：英特爾與鎂光將結束快閃記憶體合作，或在製程工藝上存在分歧
據 AnandTech 報道，英特爾（Intel）與鎂光（Micron）之間維持了很長一段時間的 NAND 快閃記憶體開發與製造合作，將很快迎來終結 —— 兩家公司將在 2018 年底或 2019 年初推出第三代 3D NAND Flash 之後分道揚鑣。12 年前，英特爾和鎂光成立了一家名叫 IMFT 的合資公司。在固態硬碟成為主流前，IMFT 開始生產基於 72nm 平面工藝的 NAND 顆粒。在歷史上的大部分時間裡，該公司一直是全球四大 NAND 快閃記憶體製造商之一。
兩家公司的合作只涉及存儲技術和製造領域，在共享快閃記憶體技術的基礎上，兩家公司是各自開發、以及向公開市場銷售固態硬碟的。
對於即將面對的分道揚鑣，其實並非沒有先例。早在 2012 年的時候，英特爾就已經將自己持有的部分 IMFT 工廠股份轉售給了鎂光，只留下了最初聯合擁有的猶他州萊希（Lehi）工廠。
自那時起，兩家公司都各自建造了更多的廠區，但研發工作仍然圍繞猶他州的這處設施展開。英特爾拒絕向最終的 16nm 平面型 NAND 節點投資，將這項任務完全拋給了鎂光自己。與此同時，他們的第一代 3D NAND 也在開發之中。
兩家公司在 NAND 快閃記憶體業務方面有著非常不同的側重點：英特爾的顆粒幾乎只給自家用，而鎂光則慷慨地與第三方分享。英特爾主攻的是企業市場，近期多數消費級 SSD 的主控開發都外包了。
甚至在決定跳過 16nm IMFT 節點的時候（在自家 3D NAND 做好準備前並無成本優勢），英特爾還為一些客戶端和消費級 SSD 選用過從 SK 海力士那裡採購來的 16nm NAND 快閃記憶體。
隨著 59㎡ 的 256Gbit @ 64 層 3D TLC 快閃記憶體的推出，鎂光在移動市場上表現出了越來越大的興趣。儘管英特爾一直傾向於用更大的快閃記憶體晶元來支撐其企業級 SSD，但這一選項在智能機領域並不不是那麼方便。
當然，即便有這些分歧，也不至於是壓塌雙方合作的最後一根稻草。AnandTech 指出，即將到來的製程挑戰，可能是促使它們尋找截然不同的策略的主因。
英特爾和美光當前正在推出第二代 64 層 3D NAND 快閃記憶體，在第三代完成開發後，其很有可能會轉向 96 層的設計。而要將層數增加到三位數，可能要在接下來的一兩代中採用堆疊。
兩家公司或許對何時在製造方式上作出改變上有些分歧，還有一種可能是，其中一方想要將 3D 浮動柵極架構、換成更類似於三星等 3D NAND 廠商的電荷陷阱式設計。
這一舉措將對兩家公司的戰略產生重大的影響，其中一方不得不完全承認失敗。有跡象表明，在 2D 到 3D 轉進的過程中，浮動柵極已經開始成為一個障礙。
然而截至目前，兩家公司都沒有表現出任何技術變革的跡象。在此之前的幾年時間裡，這種改變隨時可能發生，並根據對方採取的方法來判斷。
也有一種可能是，兩家公司的 NAND 快閃記憶體技術，會在未來更多代產品上保持大同小異。不過分道揚鑣之後，並不會影響 IMFT 的 3D XPoint 存儲技術的開發與製造。
目前只有英特爾將 3D XPoint 產品推向市場（比如傲騰快閃記憶體），而鎂光這邊的 QuantX 仍屬於處於真空狀態。不過除了聲明繼續聯合開發 3D XPoint 之外，鎂光今日沒有透露有關這項技術的後續計劃。
所以以後鎂光會把心思花在移動產業上？怪不得鎂光比起其他廠商瘋狂提升速度，它就在不斷堆容量，在鎂光還沒離開桌面市場前，我們估計能有很多更廉價的大容量SSD用啦！
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