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紫光存儲如何突圍?

紫光存儲如何突圍?

上周,隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨立開發3D NAND,其維持多年的長期合作關係也將結束。與此同時,有外媒報道,英特爾將於紫光合作,在中國生產3D NAND快閃記憶體晶元。在未來幾年,英特爾將會更加積極的進入NAND快閃記憶體市場,尤其是用於數據中心和高端個人電腦的特殊領域。而紫光似乎在此機遇之下,贏得了發展的先機。

紫光存儲如何突圍?

在趙偉國執掌紫光集團之後,自2013年以來,據不完全統計,紫光系共投資了16家公司(不包括後期暫停或終止的),斥資近千億元。其中,晶元領域就有11家,先後十多次舉牌上市公司。

雖然從2017年開始,紫光開始放慢併購的腳步,但是這並沒有阻止正在以低頻和其他的方式參與到產業中來,因為對於趙偉國而言,對紫光「晶元+雲網」的部署從未停止過。

嚴防死守與突圍

此次業界對於紫光和英特爾的合作並不是無跡可尋,因為這已經不是紫光和英特爾的第一次接觸了。

遠的不說,單從2013年紫光開始大規模收購開始。

2013年底,紫光先以18億美元收購展訊通信,後以9.1億美元收購銳迪科,將中國大陸前三的兩家晶元設計公司整合到一起。

2014年,紫光將展訊、銳迪科20%股份以15億美元的價格出售給了Intel。

通過這一收購,紫光不僅通過收購展訊、銳迪科在商業上大賺一筆,更拉到了晶元巨頭Intel這個強援。

在嘗到了收購帶來的好處之後,紫光的收購措施更是一發不可收拾。

2015年,在試圖收購美光的企圖被美國政府禁止後,紫光豪擲38億美元收購西部數據15%股權,進而由西部數據出面,繞過美國政府的管制,以190億美元收購閃迪。

可以說,這也是紫光在嘗試收購美光失敗後曲線強化存儲上的布局。

但最後這項交易,還是由於美國海外投資委員會CFIUS介入審查而終止,由此不難看出,國外對於存儲器技術的嚴防死守。

意識到了這一問題之後,紫光轉而通過合作的方式來進行。

顯然,在相關領域儲備知識產權,通過資本獲得入場券,歸根結底還是以做好科技實業為本。

其實紫光從一開始就有一個大盤的策略,而存儲行業是紫光這一策略中關鍵的一步。

雖然由於國外嚴防死守的原因,很多收購都宣告破產,但是紫光並沒有死心,而是轉而選擇與國內企業聯手的方式,進軍存儲產業。

第一步就是2016年7月,紫光收購武漢新芯的大部分股權,並註冊成立了全新的長江存儲,將武漢新芯變成其全資子公司。

當時就有業內人士表示,紫光有資金,武漢新芯有生產保障,再加上第三方(美光等)的技術支持,二者聯手將是中國存儲器晶元趕超國外巨頭的絕佳機會。

除了Falsh,紫光對DRAM也是高度關注。在2015年,紫光就從同為清華系的同方股份手裡收購了同方國芯36.39%的股權,涉足DRAM產業,並將改公司改名為紫光國芯。

現在回頭看,過去兩年,尤其近兩年以來Flash和DRAM價格的高漲,再一次證明了紫光的獨到。

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紫光與英特爾合作?

而現在隨著英特爾和美光合作的終結,如果紫光此時能夠搭上英特爾的快車,將能夠更加快速的時間國產存儲器的崛起。

其實這並不是紫光第一次需求技術上的授權和合作。

在收購武漢新芯的時候,紫光就希望在此基礎上需求與美光的技術授權。

但是,當時的問題在於,彼時英特爾與美光的合作關係還存在,在與美光談技術授權的同時,還需要經過英特爾這一關,而且美國政府對於技術轉移到中國也是相當保守,此前收購美光破產就是一個很好的例子,所以技術授權也是無疾而終。

而現在在美光與英特爾合作結束之後,紫光能夠有機會呢?

這兩年,存儲器市場發生了翻天覆地的變化,價格更是連創新高,英特爾更是在被三星依靠著存儲器擠下了坐了二十多年的半導體行業老大的寶座。

要說英特爾不甘心那是不可能的,但是力所難及啊。

為此,英特爾宣布,英特爾計劃提升其在大連的12英寸晶圓廠的產能,英特爾位於大連的工廠在2015年的時候,從原先的處理器業務變成Nand快閃記憶體晶元業務。

但是,即便如此,英特爾的情況依然不容樂觀。

據了解,在產品規划上,英特爾的發展依舊以SSD為主,並占其90%以上比重,3D-XPoint相關應用由於才剛起步,且價格仍處高點,採用者仍然不多。即便如此,英特爾的份額依舊不高。

可以說,英特爾亟待尋找出路在存儲晶元市場獲得突破,而由於英特爾與美光本身在發展理念上的不同,隨著合作終結,英特爾將能夠更加自由的發展自己的存儲晶元。而在這種情況下,就需要一個強有力的並且合適的合作夥伴。

同時,紫光也需要先進技術的支持。

去年年底,紫光也宣布將投資了 300 億美元在南京建設自己的 DRAM 存儲器及 NAND Flash 存儲器工廠。另外也和中國台灣地區的建興宣布合作,在蘇州興建一座 SSD 固態硬碟開發、製造工廠,這些工廠都需要先進技術的支持。

因此,未來如果真能與英特爾合作,英特爾所掌握的 NAND Flash 技術將有望讓紫光的生產更上一層樓。而英特爾則可以利用技術授權,藉由紫光的布局以換取更大的市場。可以說是雙贏的局面。

紫光存儲如何突圍?


技術授權的阻礙

因此在這種情況之下,很多人就提出了英特爾看中紫光,將技術授權的可能。

但是,這種情況真的可能嗎?

在此之前就曾有消息說,紫光與SK海力士就快閃記憶體技術許可進行談判與合作,給出的理由則是,3D NAND技術很難不觸碰到SK海力士等國際廠商的知識產權。

紫光專門針對這件事情表示,快閃記憶體只是產權不是SK海力士的,現在的3D NAND技術是自己開發的。

由此可以猜想,依靠目前紫光的實力,可能並不需要通過技術授權的方式來實現3D NAND產品的突破。

那麼紫光是否還需要依靠英特爾的授權就不得不打上一個問號。

其實,即便英特爾進行技術授權,也存在著美國政府阻礙的問題。

事實上,美國以法律當武器恫嚇對手的做法,早已是屢見不鮮的事,2017年年底,美光就針對聯電和福建晉華目前仍在研發階段的 DRAM 技術,在美國提出涉嫌妨礙運營機密的控告。

同時,美國還不斷以國家安全為借口,來避免技術的外泄和中國企業的收購以杜絕先進技術流向中國。

比如說,在剛剛結束的CES上,AT&T臨場變卦,華為再次被美國市場拒之門外,理由依然是說了千萬遍的華為軍工背景或會危機美國的國家安全。

之後,更是有消息說,美國國會兩位重量級議員發起一項議案,擬禁止政府機構採購華為、大唐及中興的產品和服務,稱其「與中國軍方關係密切」。

而類似的理由都會成為英特爾技術授權給紫光的障礙。


自主研發才是出路

對於英特爾可能技術授權給紫光這件事情來看,更多的只是一種猜想,而這種猜想很難有成為現實的可能。

而紫光這幾年來的發展已經為我們發展中國自主的存儲器產業指明了一條非常明朗的道路。

高啟全曾說過,中國發展存儲晶元不能再走授權代工的路,一定要技術自主開發,用到別人的專利就付錢,同時也累積自己手上的專利實力,如果最後真的無法成功,那也必須接受事實。

歷史的經驗也告訴我們,回顧台灣過去 20 年的產業發展腳步,等於是為美、日、歐等國大廠打了 20 年工,到最後仍是無法擁有自己的技術,只換來「生產成本最低的 DRAM 廠」的稱號。

尤其是對於目前的中國市場也是如此,擁有巨大的市場,但是在技術方面短缺,是我們不得不面臨的困境。

當前中國半導體的艱難局面來自於:中國身為全球最大的半導體市場,但卻必須高度依賴進口,以需求量最大的 DRAM 和 NAND Flash 晶元為例,9 成以上都依靠國際大廠。

而現在,隨著紫光32層64G的3D NAND晶元研發成功,其DDR4存儲晶元計劃於今年逐步推向市場,紫光告訴我們,自主研發才是中國存儲產業的出路!

文/半導體行業觀察 劉燚

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1469期內容,歡迎關注。

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