本周熱門：eSilicon宣布7nm FinFET ASIC設計案

GIF

今天為大家推薦的，是本月最火的eSilicon 出品的 7nm FinFET ASIC設計案。

FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名叫【鰭式場效應晶體管】，是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制並減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

閘長約是人類頭髮寬度的一萬分之一。由於在這種導體技術上的突破，未來晶元設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自於傳統標準的晶體管—場效應晶體管 (Field-Effect Transistor；FET)的一項創新設計。在傳統晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬於平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可於電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制並減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。

如圖：

(圖片來自：維基百科)

eSilicon是FinFET級別ASIC設計，定製IP和先進2.5D封裝解決方案的獨立供應商，該公司宣布了在主要OEM上的首個7nm設計案。 eSilicon在台積電7nm工藝技術的高帶寬網路，高性能計算和人工智慧應用方面的完整IP平台的開發取得了成功。 7nm IP平台包括一個56G長距的SerDes，TCAM，HBM2 PHY，高速高速緩存，單埠和雙埠SRAM以及許多高速，高密度多埠內存架構。

台積電7納米工藝技術的功耗和性能特性加大了該設計的成功率。 與台積電的16FF +技術相比，7nm在相同的功率下提供了35％的速度增益，在相同的速度下降低了60％的功率。

這些因素有助於解決這一高級數據中心晶元的苛刻要求。eSilicon公司總裁兼首席執行官Jack Harding表示：「先進的數據中心晶元始終如一地以更低的功耗提高性能。 台積電的7納米技術提供了降低功耗和提高性能的恰當平衡，以滿足這些需求。「

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！