新的DIY狂潮，DDR6來了，升級這麼大！
『搞機匯供稿』在內存硬碟領域，DDR4剛剛成為市場主流，去年就有人在說著DDR5要來了，但現在已經確定的是DDR6要來了，仍然是掌握著內存30%市場的三星領頭。
本周三星宣布已經開始批量生產下一代顯卡和其他硬體需要的GDDR6存儲晶元。新晶元將提供16 Gb密度，介面速度將明顯高於GDDR5和GDDR5X最快的IC。
GDDR6是下一代專用DRAM標準，將由所有三家領先的內存製造商提供支持。隨著時間的推移，業界將針對不同的應用，性能和價格要求推出各種各樣的GDDR6 IC。本周三星宣布推出首款16 Gb GDDR6 IC，每晶元的數據傳輸速率為18 Gbps，每晶元帶寬高達72 GB / s。由這樣的DRAM組成的256位存儲器子系統將具有576GB / s的組合存儲器帶寬，而384位存儲器子系統將達到864GB / s，優於基於HBM2的現有1.7Gbps / 3092位存儲器子系統提供高達652 GB / s。GDDR6增加的成本將在功率預算中，與目前的GDDR5 / 5X技術非常相似。
新的GDDR6架構使三星能夠支持新的和更高的數據傳輸速率，並且具有非深奧的內存形式。為了提高介面速度，GDDR6內存在內部和外部都進行了重新設計。儘管關於新標準的細節目前沒有說明，但關於新存儲器技術的兩個關鍵因素是GDDR6的每通道I / O配置為x8 / x16，現在每個晶元都有兩個通道。相比之下，GDDR5 / GDDR5X IC具有x16 / x32 I / O配置以及每個晶元一個通道。雖然物理GDDR6晶元繼續具有16/32位寬匯流排，GDDR6與前幾代（由兩個通道組成）相比，現在工作方式不同。
除了更高的性能外，三星GDDR6 16 Gb晶元的工作電壓為1.35 V，比高性能GDDR5 IC（例如9 Gbps，10 Gbps等）所需的1.55 V下降了13％。三星表示，與超高速GDDR5晶元相比，降低的電壓使其能夠將GDDR6組件的能耗降低35％。同時可以確定的是美光科技和SK海力士，他們GDDR6的DRAM也將採用1.35 V電壓。
三星使用其10納米級工藝技術之一來生產其GDDR6元件。三星聲稱與使用其20納米工藝技術製造的8 Gb GDDR5晶元相比，其16 Gb IC帶來的製造效率提高了30％。通常情況下，三星的生產力增長意味著每片晶圓的晶元數量增加，因此該公司已經成功地使其16 Gb IC比前一代8 Gb IC更小。雖然三星沒有詳細說明其成就，但看起來新晶元不僅採用更薄的工藝技術製造，而且還具有其他優點，如新的DRAM單元結構或優化的架構等優勢。
三星的16 Gb GDDR6晶元採用FBGA180封裝，就像其他廠商的所有工業標準GDDR6存儲器組件一樣。
儘管三星沒有透露計劃何時將其GDDR6 DRAM商用化，但由於已經開始大規模生產，所以新的DDR6內存其實離我們不遠了，看來新的主板要上線了，其實搞機君想說，內存才剛剛降價，身邊朋友開始在大量進貨高DIY，三星在這個時候出DDR6叫人耐人尋味啊。
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