三星宣布推出首款Z-SSD，憑什麼與英特爾Optane競爭？

近日，三星宣布將正式推出其首款Z-SSD產品——SZ985。Z-SSD使用Z-NAND快閃記憶體，這是三星的3D NAND快閃記憶體的高性能衍生產品，被視為與英特爾3D XPoint內存進行競爭的主要角色。SZ985是高性能、高耐久的企業級NVMe SSD。

在相當長的一段時間內，三星一直在為Z-NAND和SZ985造勢，包括在多場貿易展和會議上展示產品原型。2016年時，三星曾宣布Z-NAND內存和Z-SSD驅動器將在當年實現1TB驅動，在隨後的2017年實現2TB和4TB驅動。如今推出800GB和240GB的機型，時間線已遠遠落後於最初計劃，但Z-SSD終於準備好了。三星還沒有提供關於Z-SSD的具體參數信息，但他們透露，該驅動器包括1.5GB的LPDDR4 DRAM。這表明，要麼Z-SSD 800GB機型擁有高達1.5TB的Over-Provisioning（預留空間）或Z-NAND內存，要麼就是管理Z-NAND比多數SSD使用的NAND快閃記憶體中常見的每TB 1G DRAM要多。

三星沒有提供完整的SZ985性能規範，但他們強調了幾個關鍵的指標，將Z-SSD放在了最高性能層。SZ985可以提供多達750k的隨機讀取IOPS，遠高於英特爾Optane SSD DC P4800X的550k IOPS。在SZ985寫入上的性能要遜色得多，只有170k隨機寫入IOPS。英特爾P4800X上的隨機寫入速度比隨機讀取速度慢9%，而三星SZ985的隨機寫入速度比隨機讀取慢了77%。三星沒有能夠克服快閃記憶體的所有限制，但他們已經取得了一些值得讓人注意的改進。

三星還與基於3D TLC NAND快閃記憶體的主流企業級SSD進行了一些比較。Z-NAND的存儲單元讀取性能比3D TLC NAND高10倍，隨機讀取吞吐量比PM963 NVMe SSD高70%。準確讀取延遲不指定，但SZ985的寫入延遲約為16微秒。

儘管沒有介紹有記錄的寫入性能，但是SZ985仍然被設計用來處理非常高強度的工作負載。耐力評級為每日整盤寫入次數（DWPD）30，可使用壽命5年，與英特爾的Optane SSD相當。三星在Z-SSS SZ985上最重要的成就很可能是由於他們的3D NAND結構，他們能夠以更低的成本提供平面SLC的性能。

在去年的內存峰會上，三星還發布了第二代Z-NAND內存。SZ985是第一代產品，如此看來，第二代Z-NAND驅動距離上市可能還有很長的路要走。

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