比UFS 2.1性能翻番，UFS 3.0正式發布：2.9GB/s

UFS（通用快閃記憶體，Universal Flash Storage）其更快速的傳輸速度被市場認為是eMMC的繼承者。2016年JEDEC發布了UFS 2.1的通用快閃記憶體標準，與UFS 2.0相比，UFS 2.1並沒有定義新的速度，仍為標準的HS-G2和可選HS-G3，並增加了設備健康、性能優化、固件升級、安全寫入保護等功能。

UFS在不同的介面協議規範下其傳輸速度也大不相同，UFS HS-G2（High Speed Gear 2）單通道（1Lane）最高讀寫速度為2.9Gbps，雙通道（2Lane）最高讀寫速度為5.8Gbps，相當於SSD SATA 3.0介面的傳輸速度。UFS HS-G3 1Lane最高讀寫速度為5.8Gbps，2Lane最高讀寫速度為11.6Gbps。UFS2.0採用HS-G2 1Lane讀寫速度由於與eMMC5.1（400MB/s）相比沒有明顯的優勢，HS-G2 2Lane介面協議速度約eMMC5.1的2倍，便成為了主流配置，實現速度的升級。

2017年UFS 2.0向UFS 2.1規範提升，HS-G2 2Lane已無法滿足對速度提升的需求，因此更高傳速度的HS-G3 2Lane，即最高傳輸速度11.6Gbps成為三星、東芝、SK海力士、美光等UFS2.1主流配置。

今日（1月31日）上午消息，固態技術協會（JEDEC）發布了Universal Flash Storage (UFS，通用快閃記憶體存儲) v3.0標準（JESD220D、JESD223D），和UFS存儲卡v1.1標準（JESD220-2A）。簡單來說，UFS 3.0引入了HS-G4規範，單通道帶寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。

由於UFS的最大優勢就是雙通道雙向讀寫，所以介面帶寬最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。

互聯層設計方面，嚴格遵守MIPI（移動產業處理器介面）的規範協議，其中物理層依據MIPI M-PHY v4.1，傳輸層依據MIPI UniProSM v1.8。

其它方面，UFS 3.0支持的分區增多（UFS 2.1是8個），糾錯性能提升，電壓2.5V，支持最新的NAND Flash快閃記憶體介質。面向工業領域如汽車自動駕駛，工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度。

至於UFSHCI v3.0規範則面向主控廠商參考，用於簡化通行設計。

至於UFS存儲卡v1.1，則實現了對HS-Gear1/2/3的全部兼容，這樣存儲速度就達到最高1.5GB/s。

另外，三星已經宣布，將在2018年第一季首發推出UFS 3.0介面的產品。由於驍龍845、Exynos 9810等尚無證據支持UFS 3.0介面，所以是否對應Galaxy S9終端或者僅僅是主控、快閃記憶體這類零部件，暫不得而知。

CFM年度市場分析報告

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！