內存存儲晶元漲價1年多突然下跌，三星有點懵了！繼續漲還是跌？
熊眼觀世界-----中國內存存儲晶元之傷
三星的內存存儲晶元產品
內存存儲晶元的漲價風潮
2016下半年到2017年以來中國市場手機、計算機等電子產品以及大數據云服務等強勁增長，電子產品出貨量高速的增長帶動了相關元器件需求，它們需要功能更強大、可存儲更多數據的晶元。
內存晶元行業規模達1，220億美元，自2016年中以來經歷了一段前所未有的繁榮，單2017年增速就將近70%，韓國三星電子，這個韓國的巨無霸企業雖然手機業務在中國市場已經折戟成沙，但是三星卻一直在推高元器件業務的價格以及控制對中國市場的供給量，幾乎長達一年半時間智能手機屏幕、內存、快閃記憶體等元器件就面臨缺貨與漲價，這給產業鏈完善的三星電子貢獻了不菲的利潤。
內存漲價的根本原因是供需失衡。供給方面，三星、海力士以及美光三家廠商此前有一部分內存生產線已轉做快閃記憶體，導致產能減少。加之內存工藝節點向前推進緩慢、產品良率不高等原因使得供給不足。
目前，全球內存市場被海外幾家國際巨頭壟斷，前五大存儲公司壟斷全球95%市場。NAND Flash市場前五名是三星、東芝、閃迪、美光、SK海力士，在DRAM市場則主要是由三星、SK海力士和美光所把控。其中老大三星在NAND Flash占近四成的市場份額、在DRAM市場則占近五成的市場份額，這造成了它在存儲晶元市場雄霸天下的局面，在這兩年存儲晶元價格暴漲的過程中它成為最大的獲益者，而晶元業務也成為其主要利潤來源。
海外存儲晶元巨頭市佔率
在技術工藝上，全球第一位廠家已大規模採用20nm工藝，並已率先量產18nm工藝；全球第二位廠家則以25nm工藝為主，已導入21nm工藝；全球第三位廠家以30nm工藝為主，20nm工藝已經進入良率提升階段。
在內存市場的寡頭壟斷格局下，下游廠商話語權並不大。即便是擁有極強產業鏈整合能力的蘋果公司，在存儲器方面，也必須同意三星的漲價要求。但是，對於站在產業鏈條頂端的內存原廠而言，去年的漲價潮讓它們賺得盆滿缽滿。
去年1至9月，三星半導體業務收入為53.15萬億韓元（約492億美元），同比增長46%。英特爾同期的半導體收入為457億美元，同比僅增長6%。而據業內預計，三星在2017年的半導體收入也會超越英特爾，此前英特爾已經佔據半導體收入第一的位置長達25年。
飆升的存儲器市場需求正助推價格的進一步上漲，巨頭們也跟著創出了業績新高。但是三星的半導體業務同樣面臨不確定性，需要關注的是，一旦產能增加，或者下游需求不那麼強烈的時候，美光和海力士可能會率先降價，這就有可能造成一部分三星的客戶轉投其它廠商。
內存存儲晶元價格近期出現不同程度的下跌
進入2018年，內存存儲晶元價格近期出現不同程度的下跌，尤其是廣泛應用於智能手機的高端快閃記憶體晶元的價格在2017年四季度下跌了近5%，目前預計，2018年該行業的增幅將下降逾一半至30%。 這導致三星電子股價上周下跌7.5%，其本土競爭對手SK海力士股價下跌6.2%。三星確實被突如其來的價格股價下跌搞的有點懵了。
去年爆炸性的增長讓晶元商擁有現金進行再投資以提高產出。NAND快閃記憶體晶元表現突出，今年的供應量將大增43%，快於去年的34%，恐導致價格下跌約10%。
據預計，晶元產量增加基本上將由西部數據、東芝和美光來引領，這幾家業者力圖追趕頭號晶元廠商三星。三星目前掌控著快閃記憶體晶元市場大約40%的份額
隨著DRAM製造商忙於加大生產，2018年下半年的價格可能下跌多達18%。這些製造商可能將資本支出從2016年的100億美元，大幅提高到2017和2018年共計的380億美元
因此，此番小幅度的價格下跌或許只是預示著2018年下半年隨著供給的增加以及中國國內晶元企業的崛起的雙重反彈下，內存晶元價格將迎來比較大幅度的下調，三星肆意漲價及控制產能的舉動或將無法再成為市場主導權。
內存存儲晶元是中國企業的晶元產業之痛
中國是全球最大的伺服器、PC和智能手機市場，對存儲晶元的需求極為龐大，2014年中國採購的存儲晶元佔全球的比例為兩成，2015年提高到三成，2016年至2017年占的比例進一步上升到五成；
在全球前十大存儲晶元採購企業當中有兩家來自中國，分別是聯想和華為，位居第四、第五，聯想是全球第二大PC企業、第四大伺服器企業，華為是全球最大的電信設備商、第三大手機企業。
存儲器（Memory）與中央處理器（CPU）、數字信號處理器（DSP）和可編程邏輯陣列器件（FPGA）並稱四大高端通用晶元，是計算機系統的兩大核心部件之一，是電子信息領域的重大戰略性支柱產品。存儲器作為四大通用晶元之一，發展存儲晶元產業的意義不言而喻。其中DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH是三大主流存儲器。
存儲晶元的產業鏈與普通半導體產業鏈相同，分為上游晶元設計、中游晶元製造、下游的晶元封測，再到終端產品的晶元應用。與眾多半導體產品的Fabless+Foundry+OSAT的垂直分工模式不同，國際存儲器市場中，從三星、美光、東芝和海力士等產業巨頭均採用IDM模式，採用IDM模式的產值佔比存儲晶元總產值90%以上。
中國的智能手機企業飽受存儲晶元短期的困擾，存儲晶元價格的暴漲導致國產手機企業的利潤下滑，加上存儲晶元對國家信息安全的重要性，這讓中國加速發展自己的存儲晶元產業，目前中國三大存儲晶元企業--長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等正加緊建設它們的存儲晶元工廠，最快在明年將開始投產，不久的將來中國將成為與日韓比肩的存儲晶元生產地。
存儲晶元四大特性導致國產化任務艱巨，國內單一企業力量難以攻克
1、技術差距大
存儲晶元的製造工藝非常複雜，其中3D NAND快閃記憶體的製造更為困難。
目前，全球各家存儲廠商對3D NAND的製造工藝都十分保密。一般來講，3D NAND產品都是採用一體成形製造法，在第一層NAND薄膜生長後，使用光罩及刻蝕，隨後連續成長8層薄膜及刻蝕之後，最後便只需一道光罩，總計需要27張光罩，該方法在2007年由東芝提出。目前，三星的TACT、VSAT，東芝的P-BiCS和3D VG，屬於一體成形3D內存技術。
國內的NAND FLASH、DRAM製造技術基本缺失。紫光集團此前從未涉及存儲晶元領域，單純通過資本投資，在沒有強有力的Memory廠商收購或者合作的情況下，很難將存儲晶元項目順利地開展。
武漢新芯的主要技術來自與Spansion的合作，其3D NAND堆棧可能只有8層，而國際主流堆棧是32-48層，三星的技術可達64層，與之相差甚遠。
福建晉華集成電路的DRAM技術源於與聯電的合作，合肥的DRAM技術源於與兆基科技的合作，想獲取先進的核心工藝也非常困難。
2、知識產權（IP）
目前，存儲晶元專利幾乎都被國際巨頭壟斷，無論是武漢新芯，還是福建晉華，其技術均是依託技術授權合作。如果中國存儲廠商在未來幾年的大力投入下取得相應的成就，隨之而來不可避免的就是IP戰
長江存儲的3D NAND存儲晶元
存儲晶元關乎新一代信息技術產業成敗，中國必然要發展存儲產業!
我國每年晶元進口超過2000億美元，其中存儲晶元占將近30%左右, 全球存儲器市場高達800億美元，中國每年進口的存儲晶元約600多億美元。發展存儲器晶元可以說是戰略性產業中的重要一環。
存儲器不僅大量應用於智能手機、平板電腦、PC等產品之中(實際上只要是有CUP的地方就要用到DRAM)，而且隨著社會進入雲計算、大數據時代，存儲器已經成為關係到下一代信息技術成敗的戰略性新興產業。
在食品領域，國家有糧食安全戰略;在環保領域，國家有環境安全戰略;在電子信息領域，國家也應當有零部件的供給安全戰略。
正是由於認識到了這些問題，在2014年發布的《國家集成電路產業發展推進綱要》中，特別指出要發展新型存儲等關鍵晶元產業，搶佔未來發展的制高點。在工信部印發的"互聯網+三年行動計劃"中也提出到2018年，高性能計算、海量存儲系統等領域取得重大突破。
中國三大存儲晶元企業加緊建設存儲晶元工廠
其中規模最大的紫光旗下的長江存儲，其以武漢新芯為基礎。武漢新芯在成立早期由中國最大的半導體代工廠中芯國際託管，後來由於多種原因武漢新芯獨立，之後武漢新芯看好存儲晶元的前景，從美國飛索（Spansion）獲得3D NAND Flash基礎技術，並與中科院微電子所合作進入存儲晶元行業。去年7月紫光將武漢新芯併入旗下成立長江存儲，當下其正投資240億美元建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房，預計明年正式投產，2020年完成全部項目。紫光集團董事長趙偉國表示，紫光未來將陸續投資 300億美元主攻存儲器晶元片製造。
合肥長鑫建設的存儲晶元工廠預計投資達到72億美元，將以 DRAM存儲晶元為主，預計2019年投產。
福建晉華以研發32納米製程的利基型DRAM存儲晶元為主，投資額達到370億元人民幣，預計明年投產，其曾在去年宣布與中國台灣第二大晶元代工廠聯電達成合作，由後者協助它開發DRAM存儲晶元技術，由於得到聯電的協助其DRAM存儲晶元進展順利。
此外包括京東方、兆易、華芯等國內企業也紛紛布局內存晶元產業鏈的研發及生產。
存儲晶元產業對中國來說還有一個極為重要的意義，那就是信息安全，"稜鏡門"事件讓中國高度關注信息安全，當前社會信息化已達到前所未有的高度，未來隨著物聯網、大數據等的發展信息安全的問題將更為凸出，由於所有的數據都保存在存儲晶元中，存儲晶元是信息安全中的重要一環。
相信隨著中國政府及企業的戰略布局和投入，最多幾年內中國的內存存儲晶元市場將初步拿到大部分存儲產品的市場主導權。到那個時候，以三星為代表的國外存儲晶元企業的市佔率、價格才是真正的大幅跳水和下跌！再也不可能左右存儲晶元市場的漲跌和隨意的控貨了。
三星，你準備好放聲大哭了嗎？
中國民族晶元企業加油！！！
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