西部數據推出世界上第一個512Gb 64層3D NAND晶元

固態硬碟驅動器是計算機發生的最大的變革之一。無論是企業還是個人計算，這些SSD都大大提高了磁碟訪問性能。Heck，對於移動設備（如筆記本電腦），從物理硬碟驅動器切換也提高了電池壽命，同時更好地保護數據免受顛簸。

就像這些固態驅動器現在，他們只是越來越好。例如，基於SATA的SSD曾經被視為奇蹟，但現在看起來很慢 - 基於PCIe的NVMe驅動器都是憤怒的。為了突出快閃記憶體存儲的穩步發展，西部數據今天公布了第一個512千兆64層3D NAND晶元。

國際固態電路研討會（ISSCC） -西部數據公司（WDC）今天宣布，該公司已經開始試生產，公司的512千兆（GB）業界最密集的三維NAND快閃記憶體晶元（X3）64層3D NAND（BICS3）晶元，西數和東芝合作，預計將於2017年下半年量產。這種晶元是近三十年來最新的成果的快閃記憶體業界首創從存儲領導者。

西部數據和東芝於7月首次推出了64層的3D NAND。被稱為「BiCS3」，該技術不像標準的「2D」NAND，它依賴於存儲單元水平分布在物理空間，如擁擠的城市街區。相反，3D NAND將單元放在層上，並將這些「樓層」垂直堆疊，就像高大的摩天大樓。這使得能夠實現更高的存儲容量，因為3D NAND不限於實際存儲器晶元（管芯）的物理邊界。

根據東芝，BICS快閃記憶體技術使得存儲器晶元具有由於製造工藝和電路技術更小的尺寸。甚至，每個存儲器單元之間的空間比傳統2D NAND產品中的空間寬，使得存儲產品可以更快地寫入數據。

去年夏天推出的64層3D NAND僅支持每個晶元256 GB的存儲容量。新型號將密度加倍，這意味著所產生的產品將具有與初始64層3D NAND技術所提供的相同形狀因子的雙倍存儲容量。關於如何西部數據和東芝使這個存儲密度的增加，可能會在技術文件的過程中提供詳細信息國際固態電路研討會。

東芝在11月表示，將於2月開始在四日市建設一個「最先進的」製造設施，以擴大其BiCS快閃記憶體產品的生產。該晶圓廠將建成兩個階段，以反映東芝的金融投資與當前的市場趨勢。第一階段預計將在2018年夏天完成。

「新工廠將有一個地震吸收結構和環境友好型的設計，包括LED整個建築照明，以及最新的節能生產設備，」 東芝表示。「它還將引入一個先進的生產系統，使用人工智慧（AI）來提高生產力。

新的512Gb BiCS3快閃記憶體晶元將增加依賴基於快閃記憶體存儲的設備（如智能手機，平板電腦，固態驅動器，USB存儲驅動器等）的容量。對於智能手機和平板電腦，該技術意味著這些設備可以提供與以前相同的容量，但是在較小的內存晶元上，從而使製造商能夠使用額外的物理空間來安裝更大的電池。由於3D NAND的堆疊性質，容量也可以更大。

喜歡這篇文章嗎？立刻分享出去讓更多人知道吧！