普渡大學：研究人員通過對硅襯底導線加熱證明了在納米尺度上，熱流具有類似於粘性流體的行為

在上周《自然通訊》期刊上發表的一篇論文中，來自巴塞羅那自治大學（UAB）物理系和電子工程系的研究人員與美國普渡大學Birck納米技術中心的研究人員一起，通過驗證位於硅襯底上導線的加熱，模擬了電流晶體管的行為。

UAB的研究人員與美國普渡大學合作，證明了在納米尺度上，熱流具有類似於粘性流體的行為。

這項工作解釋了這些金屬線的加熱方式，這種加熱方式無法用日常生活中的熱傳導定律來描述。在UAB教授Francesc Xavieràlvarez和XavierCartoixà的指導下，兩位學生Pol Torres和LvarTorelló創建的理論模型已經解釋了實驗觀察的現象；類似於粘性流體離開管道時可能發生的情況，證實了熱流在從金屬進入半導體基質時無法實現急轉。該現象使得金屬線冷卻行為變得複雜起來，因此其溫度升高到目前的模型無法解釋的數值。

在運行過程中，電子設備中運行最頻繁的部分可在局部區域內積聚增加大量的熱量，這部分區域被稱為熱點（Hot Spots），這種熱量的積聚嚴重影響了設備的運行精度，並且是進一步提升當前處理器性能的瓶頸。

這一發現為電子設備的熱管理提供了更大的空間，因為根據傅立葉定律，這項工作的描述是對設備工程師目前工作模型的重大改進。這些實驗結果作為一項支持證據，進一步證實了20世紀90年代UAB教授David Jou和JoséCasas提出的擴展熱力學理論。

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